| Модель рекомбинации в германии n-типа, облученном γ-квантами 60Co ВД Ткачев, ВИ Уренев, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 10 (9), 1680-1683, 1976 | 8 | 1976 |
| Механизм влияния Nd на прочностные характеристики монокристаллов кремния ДИ Бринкевич, СА Вабищевич, ВС Просолович, ВЮ Явид Перспективные материалы, 31-34, 2007 | 7 | 2007 |
| Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора ВБ Оджаев, АК Панфиленко, АН Петлицкий, ВС Просолович, ... Республиканское унитарное предприятие" Издательский дом" Белорусская наука …, 2018 | 6 | 2018 |
| Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора ВБ Оджаев, АН Петлицкий, ВС Просолович, АС Турцевич, СВ Шведов, ... | 6* | 2014 |
| Особенности легирования германия фосфором в присутствии неодима ОМ Алимов, ВВ Петров, ТД Харченко, ВЮ Явид Неорганические материалы 32 (10), 1165-1167, 1996 | 6 | 1996 |
| Макроскопическое сечение образования и линейные размеры областей скопления дефектов в n-Si, облученном быстрыми нейтронами реактора ЛИ Мурин, ЮМ Покотило, ВЮ Явид Физика и техника полупроводников 18 (11), 2066-2069, 1984 | 6 | 1984 |
| Investigation of influence of technological impurities on the I–V characteristics of the bipolar n–p–n-transistor VB Odzhaev, AK Panfilenko, AN Pyatlitski, VS Prosolovich, SV Shvedau, ... Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physical …, 2018 | 4 | 2018 |
| Model of high-temperature diffusion of interstitial silicon atoms in silicon M Jadan, AR Chelyadinskii, VY Yavid | 4 | 2009 |
| Efficiency of formation of radiation defects in silicon upon implantation of silicon and phosphorus ions M Jadan, AR Chelyadinskii, VY Yavid Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 2004 | 4 | 2004 |
| Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей ВБ Оджаев, АК Панфиленко, АН Петлицкий, ВА Пилипенко, ... Минск: БГУ, 2018 | 3 | 2018 |
| Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнии М Джадан, ОХА Ривера, АР Челядинский, ВЮ Явид Издательский центр БГУ, 2010 | 3 | 2010 |
| Displacement of Boron from the Silicon Crystal Nodes M Jadan, AR Chelyadinskii, VY Yavid | 3 | 2005 |
| Slow Thermal Relaxation of the Conductivity of Oxygen-Doped Germanium Crystals VE Gusakov, VI Urenev, VU Yavid Sov. Phys. Semicond., 13 (11), 1336-1337, 1979 | 3 | 1979 |
| Residual defects in silicon implanted with boron and phosphorus ions FF Komarov, M Dzhadan, PI Gajduk, AR Chelyadinskij, VY Yavid, ... Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov, 33-36, 2004 | 2 | 2004 |
| Накопление радиационных дефектов в кремнии при имплантации ионов азота АР Челядинский, ВЮ Явид, П Венгерэк Минск: БГУ, 2003 | 2 | 2003 |
| Микротвердость ковалентных полупроводников, легированных редкоземельными примесями ДИ Бринкевич, СА Вабищевич, НВ Вабищевич, ВС Просолович, ... Минск: БГУ, 2002 | 2 | 2002 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ ОМ Алимов, ВВ Петров, ВС Просолович, КВ Харченко, ВЮ Явид | 2 | 1994 |
| Capture mechanism of holes by radiation defects with Esub (c)-0. 20 eV level in Sb-doped Ge MI Tarasik, VD Tkachev, VU Yavid, AM Yanchenko Phys. Status Solidi B;(German Democratic Republic) 104 (2), 1981 | 2 | 1981 |
| Model of recombination of minority charge carriers in n-type germanium irradiated with 660 MeV protons YM Pokotilo, VD Tkachev, VI Urenev, VY Yavid Fiz. Tekh. Poluprovodn.;(USSR) 13 (9), 1979 | 2 | 1979 |
| Model of recombination in n-type germanium irradiated with. gamma.-quanta of sup (60) Co VD Tkachev, VI Urenev, VY Yavid Fiz. Tekh. Poluprovodn.;(USSR) 10 (9), 1976 | 2 | 1976 |
