| Electrical properties of metal-porous GaAs structure at water adsorption Y Milovanov, V Skryshevsky, I Gavrilchenko, A Oksanich, S Pritchin, ... Journal of Electronic Materials 48, 2587-2592, 2019 | 12 | 2019 |
| Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs YS Milovanov, IV Gavrilchenko, SV Kondratenko, AP Oksanich, ... Functional materials, 2017 | 12 | 2017 |
| Pd/Porous GaAs in the manufacture of Schottky diodes AP Oksanich, SE Pritchin, MG Kogdas, AG Kholod, MG Dernova 2019 IEEE International Conference on Modern Electrical and Energy Systems …, 2019 | 10 | 2019 |
| Effect of porous GaAs layer morphology on Pd/porous GaAs Schottky contact AP Oksanich, SE Pritchin, MG Kogdas, AG Kholod, IV Shevchenko Journal of Nano-and Electronic Physics 11 (5), 2019 | 10 | 2019 |
| Effect of H+ implantation on the optical properties of semi-insulating GaAs crystals in the IR spectral region NI Klyui, VB Lozinskii, AI Liptuga, VN Dikusha, AP Oksanych, MG Kogdas’, ... Semiconductors 51, 305-309, 2017 | 8 | 2017 |
| GaAs Porous Films Electroetching Improvement by Using a Fuzzy Controller AP Oksanich, SE Pritchin, MG Kogdas, MG Dernova 2019 IEEE 9th International Conference Nanomaterials: Applications …, 2019 | 7 | 2019 |
| Using impedance porous GaAs-based for biomedical gas sensor AP Oksanich, SE Pritchin, MG Kogdas, AG Holod, YS Milovanov, ... 2017 IEEE 7th International Conference Nanomaterials: Application …, 2017 | 6 | 2017 |
| Luminescent properties of electrochemically etched gallium arsenide IV Gavrilchenko, YS Milovanov, II Ivanov, AN Zaderko, AP Oksanich, ... Journal of Nano-and Electronic Physics 13 (4), 2021 | 4 | 2021 |
| Method for Improving the Quality of Porous Gallium Arsenide Wafer for Anti-Reflecting Coating of Solar Cells A Oksanich, S Pritchin, M Kogdas, A Nekrasov 2022 IEEE 4th International Conference on Modern Electrical and Energy …, 2022 | 3 | 2022 |
| Удосконалення методу отримання поруватих плівок GaAs з використанням нечіткого контролера АП Оксанич, ПС Емільєвич, ВМ Чебенко, МГ Когдась, МА Мащенко Радиоэлектроника и информатика, 4-8, 2019 | 3 | 2019 |
| Класифікація струмопровідних міжз’єднань для сучасних електронних модулів ІВ Боцман, МГ Когдась, ВВ Невлюдова НДТІП, 2020 | 2 | 2020 |
| Удосконалення методу отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs АП Оксанич, СЕ Притчин, МГ Когдась, ОГ Холод, МА Мащенко Вчені записки Таврійського національного університету імені ВІ Вернадського …, 2018 | 2 | 2018 |
| Разработка математической модели контакта металл-пористый арсенид галлия с барьером Шоттки АП Оксанич, СЕ Притчин, МГ Когдась, АГ Холод Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла …, 2018 | 2 | 2018 |
| Усовершенствование метода создания контактов с барьером Шоттки к пористым полупроводникам АП Оксанич, СЭ Притчин, МГ Когдась, АГ Холод, МА Мащенко Радиоэлектроника и информатика, 24-28, 2018 | 2 | 2018 |
| Применение пористых слоев GaAs при изготовлении диодов Шоттки АП Оксанич, МГ Когдась, ОГ Холод, МА Мащенко Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла …, 2018 | 2 | 2018 |
| Усовершенствование метода и аппаратуры измерения плотности дислокаций в подложках кремния и арсенида галлия АП Оксанич, СЭ Притчин, МГ Когдась, ВА Тербан Автоматизированные системы управления и приборы автоматики, 53-60, 2013 | 2 | 2013 |
| ИССЛЕДОВАНИЕ ИМИТАТОРА СОЛНЕЧНОЙ БАТАРЕИ НА БАЗЕ ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ С БЕЗИНЕРЦИОННЫМ ОГРАНИЧЕНИЕМ ТОКА ВФ Шостак, ТВ Горлова, МГ Когдась Вiсник КрНУ iменi Михайла Остроградьского, 20, 2012 | 2 | 2012 |
| Разработка высокочувствительных датчиков водорода на базе диодов шоттки, изготовленных из наноразмерных слоев n-GaAs АП Оксанич, МГ Когдась, ОГ Холод, МА Мащенко Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла …, 2018 | 1 | 2018 |
| Структурні властивості поруватого кремнію, отримані методом електрохімічного травлення АП Оксанич, МГ Когдась, ВM Чебенко Вісник Кременчуцького національного університету імені Михайла …, 2017 | 1 | 2017 |
| Методы улучшения структурного совершенства полуизолирующего gaas диаметром 100 мм АП Оксанич, МГ Когдась, МС Андросюк Радиоэлектроника и информатика, 11-14, 2014 | 1 | 2014 |
