Hsun-Jen Chuang; H.-J. Chuang; H. J. Chuang; 莊勛任

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	3835	2411
h-индекс	21	19
i10-индекс	27	27

520

260

130

390

20142015201620172018201920202021202220232024202557 168 218 256 350 370 457 502 453 421 496 82

Общий доступ

Просмотреть все

20 статей

4 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

B.T. JonkerNaval Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Kathleen M. McCrearyNaval Research LabsПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Matthew RosenbergerUniversity of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене nd.edu
Bhim Chamlagain PhDLam Research, University of Central Florida (NSTC); Wayne State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене wayne.edu
Zhixian ZhouProfessor of Physics, Wayne State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене wayne.edu
Meeghage Madusanka PereraFormer NRC fellow residing at Naval Postgraduate School, Monterey, CAПодтвержден адрес электронной почты в домене nps.edu
J.-Q. YanOak Ridge National LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене utk.edu
Saujan SivaramEngineer, Sila NanotechnologiesПодтвержден адрес электронной почты в домене silanano.com
David TomanekProfessor of Physics, Michigan State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене nanoten.com
Aubrey HanbickiLaboratory for Physical SciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене lps.umd.edu
Carl Stephen HellbergU.S. Naval Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Nirmal J GhimireUniversity of Notre DameПодтвержден адрес электронной почты в домене nd.edu
Ming-Wei LinSenior Technologist-Process Engineer, University of Wisconsin-MadisonПодтвержден адрес электронной почты в домене wisc.edu
Mark Ming-Cheng ChengElectrical and Computer Engineering, the University of AlabamaПодтвержден адрес электронной почты в домене eng.ua.edu
Vladimir P. OleshkoNational Institute of Standards and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене nist.gov
Madeleine PhillipsCenter for Computational Materials Science, Naval Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Minghu PanHuazhong University of Science & TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене hust.edu.cn
Joshua R HendricksonSenior Research Physicist, Air Force Research LaboratoryПодтвержден адрес электронной почты в домене us.af.mil
Connie H LiNaval Research LabПодтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil
Tu HongLam Research, Vanderbilt UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене vanderbilt.edu

Hsun-Jen Chuang; H.-J. Chuang; H. J. Chuang; 莊勛任

US Naval Research Laboratory

Подтвержден адрес электронной почты в домене nrl.navy.mil

TMD FETs


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
High mobility WSe2 p-and n-type field effect transistors contacted by highly doped graphene for low-resistance contacts HJ Chuang, X Tan, NJ Ghimire, MM Perera, B Chamlagain, MMC Cheng, ... Nano letters, 2014	541	2014
Low-resistance 2D/2D ohmic contacts: A universal approach to high-performance WSe2, MoS2, and MoSe2 transistors HJ Chuang, B Chamlagain, M Koehler, MM Perera, J Yan, D Mandrus, ... Nano letters, 2016	470	2016
Improved carrier mobility in few-layer MoS2 field-effect transistors with ionic-liquid gating MM Perera, MW Lin, HJ Chuang, BP Chamlagain, C Wang, X Tan, ... ACS Nano, 2013	410	2013
Polarized photocurrent response in black phosphorus field-effect transistors T Hong, B Chamlagain, W Lin, HJ Chuang, M Pan, Z Zhou, YQ Xu Nanoscale 6 (15), 8978-8983, 2014	380	2014
Twist Angle-Dependent Atomic Reconstruction and Moiré Patterns in Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures MR Rosenberger, HJ Chuang, M Phillips, VP Oleshko, KM McCreary, ... ACS nano 14 (4), 4550-4558, 2020	254	2020
Mobility improvement and temperature dependence in MoSe2 field-effect transistors on parylene-C substrate B Chamlagain, Q Li, NJ Ghimire, HJ Chuang, MM Perera, H Tu, Y Xu, ... ACS Nano, 2014	242	2014
Double Indirect Interlayer Exciton in a MoSe2/WSe2 van der Waals Heterostructure AT Hanbicki, HJ Chuang, MR Rosenberger, CS Hellberg, SV Sivaram, ... ACS Nano, 2018	225	2018
Nano-“squeegee” for the creation of clean 2D material interfaces MR Rosenberger, HJ Chuang, KM McCreary, AT Hanbicki, SV Sivaram, ... ACS applied materials & interfaces 10 (12), 10379-10387, 2018	197	2018
Anisotropic photocurrent response at black phosphorus–MoS 2 p–n heterojunctions T Hong, B Chamlagain, T Wang, HJ Chuang, Z Zhou, YQ Xu Nanoscale 7 (44), 18537-18541, 2015	158	2015
Electrical Characterization of Discrete Defects and Impact of Defect Density on Photoluminescence in Monolayer WS₂ MR Rosenberger, HJ Chuang, KM McCreary, CH Li, BT Jonker ACS nano 12 (2), 1793-1800, 2018	153	2018
Quantum calligraphy: writing single-photon emitters in a two-dimensional materials platform MR Rosenberger, CK Dass, HJ Chuang, SV Sivaram, KM McCreary, ... ACS nano 13 (1), 904-912, 2019	134	2019
Continuous wave sum frequency generation and imaging of monolayer and heterobilayer two-dimensional semiconductors K Yao, E Yanev, HJ Chuang, MR Rosenberger, X Xu, T Darlington, ... ACS nano 14 (1), 708-714, 2019	70	2019
Spatially Selective Enhancement of Photoluminescence in MoS₂ by Exciton-Mediated Adsorption and Defect Passivation SV Sivaram, AT Hanbicki, MR Rosenberger, GG Jernigan, HJ Chuang, ... ACS applied materials & interfaces 11 (17), 16147-16155, 2019	70	2019
Understanding Variations in Circularly Polarized Photoluminescence in Monolayer Transition Metal Dichalcogenides KM McCreary, M Currie, AT Hanbicki, HJ Chuang, BT Jonker. ACS Nano, 2017	70	2017
Edge effects on the pH response of graphene nanoribbon field effect transistors X Tan, HJ Chuang, MW Lin, Z Zhou, MMC Cheng The Journal of Physical Chemistry C 117 (51), 27155-27160, 2013	65	2013
Chemical identification of interlayer contaminants within van der Waals heterostructures JJ Schwartz, HJ Chuang, MR Rosenberger, SV Sivaram, KM McCreary, ... ACS applied materials & interfaces 11 (28), 25578-25585, 2019	63	2019
Substitutional Electron and Hole Doping of WSe 2 : Synthesis, Electrical Characterization, and Observation of Band-to-Band Tunneling R Mukherjee, HJ Chuang, MR Koehler, N Combs, A Patchen, ZX Zhou, ... Physical Review Applied 7 (3), 034011, 2017	44	2017
Prominent room temperature valley polarization in WS2/graphene heterostructures grown by chemical vapor deposition I Paradisanos, KM McCreary, D Adinehloo, L Mouchliadis, JT Robinson, ... Applied Physics Letters 116 (20), 2020	40	2020
Optimizing Charge Injection across Transition Metal Dichalcogenide Heterojunctions: Theory and Experiment J Guan, HJ Chuang, Z Zhou, D Tomanek ACS Nano, 2017	40	2017
Stacking-dependent optical properties in bilayer WSe 2 KM McCreary, M Phillips, HJ Chuang, D Wickramaratne, M Rosenberger, ... Nanoscale 14 (1), 147-156, 2022	31	2022

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы