Bleaching effect in passive regions of powerful 1.02 μm InGaAs/AlGaAs DQW laser diodes with ridged waveguide structure GI Ryabtsev, TV Bezyazychnaya, MV Bogdanovich, VV Parastchuk, ... Applied Physics B 90, 471-476, 2008 | 18 | 2008 |
Polarization switching in single-mode injection semiconductor laser M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich, ES Sokolov Journal of Applied Spectroscopy 76, 678-684, 2009 | 8 | 2009 |
Переключение поляризации излучения в одномодовом инжекционном полупроводниковом лазере М Джадан, ЛИ Буров, АС Горбацевич, ЕС Соколов Журнал прикладной спектроскопии 76 (5), 717-724, 2009 | 8 | 2009 |
Optical parameters of diode lasers based on an InAsSb/InAsSbP heterostructure AP Astakhova, TV Bez” yazychnaya, LI Burov, AS Gorbatsevich, ... Semiconductors 42, 228-231, 2008 | 8 | 2008 |
Динамика переключения поляризации излучения в одномодовом инжекционном полупроводниковом лазере М Джадан, ЛИ Буров, АС Горбацевич, ЕС Соколов Журнал прикладной спектроскопии 77 (1), 74-81, 2010 | 6 | 2010 |
Stashkevich IV. Cavity dumping by the second harmonic generation AS Gorbatsevich, RI Navitskaya Journal of the Belarusian State University. Physics 2, 57-62, 2017 | 5 | 2017 |
Point model for describing the polarization parameters of a single-mode semiconductor laser M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich Journal of Applied Spectroscopy 79, 577-582, 2012 | 5 | 2012 |
Dynamics of polarization switching in single-mode injection semiconductor lasers. M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich, ES Sokolov Journal of Applied Spectroscopy 77 (1), 2010 | 5 | 2010 |
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры АП Астахова, ТВ Безъязычная, ЛИ Буров, АС Горбацевич, АГ Рябцев, ... Физика и техника полупроводников 42 (2), 228-232, 2008 | 5 | 2008 |
Dependence of functional parameters of sine-gated InGaAs/InP single-photon avalanche diodes on the gating parameters A Losev, V Zavodilenko, A Koziy, Y Kurochkin, A Gorbatsevich IEEE Photonics Journal 14 (2), 1-9, 2022 | 4 | 2022 |
Наведенный дихроизм усиления в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич Минск: БГУ, 2016 | 4 | 2016 |
MV Bogda novich, VV Parastchuk, AI Yenzhyieuski, LI Burov, AS Gorbatsevich, AG Ryabtsev, MA Shchemelev, VV Bezotosnyi, KA Shore, and S. Banerjee GI Ryabtsev, TV Bezyazychnaya Appl. Phys. B 90, 471, 2008 | 4 | 2008 |
Polarization component method for calculation of the multiple-frequency lasing regime LI Burov, IN Baraksa, AS Gorbatsevich Journal of Applied Spectroscopy 74, 385-389, 2007 | 3 | 2007 |
Метод поляризационных компонент для расчета многочастотного режима генерации ЛИ Буров, ИН Варакса, АС Горбацевич Журн. прикл. спектр 74 (3), 346-350, 2007 | 3* | 2007 |
Investigating the coherent state detection probability of InGaAs/InP SPAD-Based Single-Photon detectors A Koziy, A Tayduganov, A Losev, V Zavodilenko, A Gorbatsevich, ... arXiv preprint arXiv:2104.07952, 2021 | 2 | 2021 |
The effect of VCSEL intrinsic dynamics on polarization bistability M Jadan, J Addasi, MH Flaifel, LI Burov, AS Gorbatsevich, ... Results in Physics 14, 102379, 2019 | 2 | 2019 |
Влияние ориентационной анизотропии параметров поверхностно излучающих полупроводниковых лазеров на возможность получения поляризационных переключений ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 51-57, 2018 | 2 | 2018 |
Переходные процессы при поляризационных переключениях в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 17-24, 2018 | 2 | 2018 |
Affect of carrier and injection current noise on statistical parameters of surface-emitting semiconductor lasers LI Burov, AS Gorbatsevich, PM Lobatsevich ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ, 90, 2015 | 2 | 2015 |
Роль спонтанного испускания в формировании поляризованного излучения VCSEL ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 50-56, 2017 | 1 | 2017 |