Подписаться
Kritskaya T. V. / Критская Татьяна Владимировна / Критська Тетяна Володимирівна
Kritskaya T. V. / Критская Татьяна Владимировна / Критська Тетяна Володимирівна
Zaporizhzhia State Engineering Academy / Запорожская государственная инженерная академия
Подтвержден адрес электронной почты в домене zgia.zp.ua
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Современные тенденции получения кремния для устройств электроники: монография
ТВ Критская
Запорожье: РИО ЗГИА 353, 2013
162013
Основные требования к технологическим схемам получения кремния солнечного качества
СЛ Нагорный, ТВ Критская, ЛЯ Шварцман
Металургія (наукові праці ЗДІА), 72-81, 2009
112009
Управление свойствами и разработка промышленной технологии монокристаллического кремния для электроники и солнечной энергетики
ТВ Критская
Дисс.… докт. техн. наук.− Запорожье, 2006
102006
Рафинирование кремния (сообщение 1)
ГА Колобов, ТВ Критская
Металургія (Наукові праці ЗДІА).–Запоріжжя: ЗДІА, 77-83, 2009
72009
Изучение примесного состава кремния металлургических марок
НВ Немчинова, ТВ Критская, ГА Колобов
Металургія, 71-75, 2015
62015
Особенности спектров ИК-поглощения термодоноров в кристаллах Si: Gе
ТВ Критская, ЛИ Хируненко, ВИ Шаховцов, ВИ Яшник
ТВ Критская, ЛИ Хируненко, ВИ Шаховцов, ВИ Яшник//ФТП 24, 1129-1132, 1990
61990
Перспективные полупроводниковые материалы для использования в силовой электронике
ТВ Критская, СВ Быткин
Вісник Національного технічного університету ХПІ. Серія: Нові рішення в …, 2018
42018
Рафинирование металлургического кремния до чистоты сорта солнечный
ГА Колобов, ТВ Критская, ЮВ Мосейко, АВ Карпенко, КА Печерица
Металургія, 118-126, 2014
42014
Особенности свойств кристаллического кремния, содержащего водород
AВ Богомаз, ТВ Критская, АН Рябец
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 14-17, 2009
42009
Исследование процессов легирования бездислокационных монокристаллов кремния, выращенных по методу Чохральского
ТВ Критская, ОВ Панченко
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 4-8, 2008
42008
Методы получения трихлорсилана для производства поликристаллического кремния
ВН Яркин, ОА Кисарин, ТВ Критская
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники 24 (1), 5-26, 2021
32021
Кремний, легированный германием (SiGe), как материал для изготовления силовых полупроводниковых приборов, устойчивых к действию вторичного космического излучения
СВ Быткин, ТВ Критская
Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Електричні машини …, 2019
32019
Рафинирование редких металлов и кремния
ГА Колобов, ТВ Критская, АМ Достаева, НВ Личконенко, ВО Панова
Вопросы атомной науки и техники, 2017
32017
Тепловой узел ростовой камеры установки выращивания крупногабаритных кристаллов германия методом погружного вращающегося формообразователя
АВ Богомаз, ТВ Критская, АВ Карпенко
Вопросы атомной науки и техники, 2013
32013
Изучение деградации характеристик кремниевых диодов Шоттки, изготовленных с применением аморфного сплава Pb-Sn
ТВ Критская, ИГ Пашаев
Металургія, 138-145, 2012
32012
Радиационная деградация времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых p+-n-структурах
ТВ Критская, СВ Быткин
Металургія. Збірник наукових праць ЗДІА, вип 1 (26), 110-116, 2012
32012
Расчет температурных полей при выращивании крупногабаритных кристаллов германия методом погружного вращающегося формообразователя
АВ Богомаз, ТВ Критская, СИ Стрилько
Металургія (Наукові праці ЗДІА), 83-91, 2009
32009
Особенности поведения электрически активных и фоновых примесей в процессах получения монокристаллов кремния
ТВ Критская, ИФ Червоный
Металлургия и горнорудная промышленность, 71-74, 2003
32003
Влияние легирования на структуру и свойства полупроводникового кремния
ЮН Таран, ВЗ Куцова, КИ Узлов, ОА Носко, ТВ Критская
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 26-29, 2003
32003
Радиационная стойкость планарных npn структур, изготовленных из монокристаллов кремния с различной концентрацией германия
СВ Быткин, ТВ Критская
Сложные системы и процессы, 90-96, 2003
32003
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20