| Влияние примесей IIIB и IV групп Периодической системы на микротвердость монокристаллического кремния ДИ Бринкевич, СА Вабищевич, ВВ Петров Микроэлектроника 26 (4), 297-300, 1997 | 25 | 1997 |
| О взаимодействии атомов редкоземельных элементов с кислородом в кремнии ЮА Карпов, ВВ Мазуренко, ВВ Петров, ВС Просолович, ВД Ткачев Физика и техника полупроводников 18 (2), 368-369, 1984 | 23 | 1984 |
| Свойства кремния, легированного примесью никеля методом диффузии АС Асташенков, ДИ Бринкевич, ВВ Петров Доклады Белорусского государственного университета информатики и …, 2008 | 16 | 2008 |
| Особенности поведения фосфора в кремнии, предварительно имплантированном иттербием ВВ Петров, ВС Просолович, ЮН Янковский, АП Коварский Поверхность: Физика, химия, механика, 86-88, 1993 | 12 | 1993 |
| Радиационные дефекты в кремнии, легированном эрбием ЮА Карпов, ВВ Петров, ВС Просолович, ВД Ткачев Физика и техника полупроводников 17 (8), 1530-1532, 1983 | 12 | 1983 |
| Влияние кислорода на поведение примеси золота в кремнии ДИ Бринкевич, ВЛ Крюков, Ф Мерааи, ВВ Петров, ЮТ Тужик, ... Неорганические материалы 29 (12), 1587-1589, 1993 | 11 | 1993 |
| Kinetics of formation of thermal donors in Si: Ge: O crystals DI Brinkevich, VP Markevich, LI Murin, VV Petrov Soviet physics. Semiconductors 26 (4), 383-387, 1992 | 11 | 1992 |
| Kinetics of thermal donor formation in Si (Ge, 0) crystals DI Brinkevich, VP Markevich, LI Murin, VV Petrov Fizika i tekhnika poluprovodnikov 26, 682-690, 1992 | 11 | 1992 |
| Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si ⟨Ge,O⟩ ВВ Петров Физика и техника полупроводников 26 (4), 682-690, 1992 | 11 | 1992 |
| Особенности структуры кремния, легированного редкоземельными элементами ВЕ Гусаков, ВВ Петров, ВС Просолович, СА Чесноков, ЮН Янковский Электронная техника. Сер. Материалы, 29, 1989 | 11 | 1989 |
| Термическое дефектообразование в кремнии, легированном германием ДИ Бринкевич, НИ Гобачева, ВВ Петров, ВС Просолович, ... Известия Академии наук СССР. Неорганические материалы 25 (8), 1376-1378, 1989 | 11 | 1989 |
| Термодоноры в кремнии, легированном германием ДИ Бринкевич, НИ Горбачева, ВВ Петров, ВД Ткачев, БМ Туровский, ... Доклады Академии наук Белорусской ССР 30 (4), 308-310, 1986 | 10 | 1986 |
| Laser amplification in an Yb: YAG active mirror with a significant temperature gradient GV Kuptsov, VA Petrov, VV Petrov, AV Laptev, AO Konovalova, ... Quantum Electronics 51 (8), 679, 2021 | 9 | 2021 |
| Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетичной имплантации бора Ф Аль-Баккур, АЮ Дидык, ИП Козлов, ВБ Оджаев, ВВ Петров, ... Физика и техника полупроводников 25 (10), 1841-1844, 1991 | 8 | 1991 |
| Влияние легирования германием и гадолинием на термостабильность монокристаллического бездислокационного кремния ВВ Борщенский, ДИ Бринкевич, НИ Горбачева, ВВ Петров, ... Высокочистые вещества, 61, 1991 | 8 | 1991 |
| Электронная техника. Сер ВЕ Гусаков, ВВ Петров, ВС Просолович, СА Чесноков, ЮН Янковский Материалы 4, 29, 1989 | 8 | 1989 |
| Donor centers in irradiated Si doped with rare‐earth elements VV Petrov, VS Prosolovich, VD Tkachev, YI Karpov, MG Millvidskii Physica Status Solidi (A) Applied Research 88 (2), 141-144, 1985 | 8 | 1985 |
| Monocrystal Dislocationless Si: Ge, Grown From the Melt with Gd Impurity. VV Borschensky, DI Brinkevich, VV Petrov, VS Prosolovch MRS Online Proceedings Library (OPL) 301, 73, 1993 | 7 | 1993 |
| Фотопроводимость и электрические свойства Si< Er>, облученного γ-квантами 60Co ЮА Карпов, ВВ Петров, ВС Просолович Физика и техника полупроводников 16 (9), 1676-1678, 1982 | 7 | 1982 |
| Фотопроводимость кремния, обусловленная различными зарядовыми состояниями дивакансии НИ Акулович, ВВ Петров, ВД Ткачев Физика н техника полупроводников 10 (6), 1038-1044, 1976 | 7 | 1976 |
