Gwan-Hyoung Lee

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	20257	12138
h-индекс	46	41
i10-индекс	107	97

2200

1100

550

1650

201220132014201520162017201820192020202120222023202470 210 776 1282 1648 1901 2032 1986 2067 2116 2098 1864 1992

Общий доступ

Просмотреть все

35 статей

0 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

James C. HoneDepartment of Mechanical Engineering, Columbia UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене columbia.edu
Chul-Ho LeeAssociate Professor, Seoul National University & Korea University (2014~2022)Подтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
Philip KimHarvard UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене g.harvard.edu
Kenji WatanabeNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
Arend M. van der ZandeProfessor of Materials Science and Engineering, University of Illinois at Urbana-ChampaignПодтвержден адрес электронной почты в домене illinois.edu
Changgu LeeSungkyunkwan UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Young-Jun YuAssociate Professor, Department of Physics, Chungnam National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cnu.ac.kr
Pinshane Y. HuangAssociate Professor of Materials Science, University of IllinoisПодтвержден адрес электронной почты в домене illinois.edu
Jong Hun KimInha UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене inha.ac.kr
Tony F HeinzDepts. of Applied Physics, Photon Science, and, by courtesy, of Electrical Eng., SLAC, StanfordПодтвержден адрес электронной почты в домене stanford.edu
Junyoung KwonSamsung Advanced Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
T.TaniguchiNational Institute for Materials ScienceПодтвержден адрес электронной почты в домене nims.go.jp
Colin NuckollsSheldon and Dorothea Buckler Professor of Material Science, Columbia UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене columbia.edu
Young Duck KimAssociate Professor, Department of Physics, Kyung Hee University, Seoul 02447, Republic of KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене khu.ac.kr
Sunwoo LeeAssistant Professor, Nanyang Technological UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ntu.edu.sg
Annie Xian ZhangMechanical Engineering, Stevens Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене stevens.edu
David A MullerProfessor of Applied and Engineering Physics, Cornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Andrea CapassoTenured Staff Researcher, International Iberian Nanotechnology Laboratory - andrea.capasso@inl.intПодтвержден адрес электронной почты в домене inl.int
Tony LowU of Minnesota, IBM Research, Columbia U, Purdue U, National U SingaporeПодтвержден адрес электронной почты в домене us.ibm.com
Lei WangColumbia UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене columbia.edu

Gwan-Hyoung Lee

Professor, Materials Science and Engineering, Seoul National University

Подтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr - Главная страница

two-dimensional materials


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Tightly bound trions in monolayer MoS2 KF Mak, K He, C Lee, GH Lee, J Hone, TF Heinz, J Shan Nature materials 12 (3), 207-211, 2012	3174	2012
Grains and grain boundaries in highly crystalline monolayer molybdenum disulphide AM van der Zande, PY Huang, DA Chenet, TC Berkelbach, YM You, ... Nature materials 12, 554–561, 2013	2415	2013
Atomically thin pn junctions with van der Waals heterointerfaces CH Lee, GH Lee, AM van der Zande, W Chen, Y Li, M Han, X Cui, G Arefe, ... Nature Nanotechnology 9, 676-681, 2014	2374	2014
Multi-terminal transport measurements of MoS2 using a van der Waals heterostructure device platform X Cui, GH Lee, YD Kim, G Arefe, PY Huang, CH Lee, DA Chenet, X Zhang, ... Nature Nanotechnology, 2015	1424	2015
Flexible and Transparent MoS2 Field-Effect Transistors on Hexagonal Boron Nitride-Graphene Heterostructures GH Lee, YJ Yu, X Cui, N Petrone, CH Lee, MS Choi, DY Lee, C Lee, ... ACS nano 7 (9), 7931-7936, 2013	1278	2013
High-Strength Chemical-Vapor–Deposited Graphene and Grain Boundaries GH Lee, RC Cooper, SJ An, S Lee, A van der Zande, N Petrone, ... Science 340 (6136), 1073-1076, 2013	1014	2013
Controlled charge trapping by molybdenum disulphide and graphene in ultrathin heterostructured memory devices MS Choi, GH Lee, YJ Yu, DY Lee, SH Lee, P Kim, J Hone, WJ Yoo Nature communications 4, 1624, 2013	793	2013
Effect of defects on the intrinsic strength and stiffness of graphene A Zandiatashbar, GH Lee, SJ An, S Lee, N Mathew, M Terrones, ... Nature communications 5, 3186, 2014	752	2014
Electron tunneling through atomically flat and ultrathin hexagonal boron nitride GH Lee, YJ Yu, C Lee, C Dean, KL Shepard, P Kim, J Hone Applied Physics Letters 99 (24), 243114, 2011	591	2011
Highly Stable, Dual-Gated MoS2 Transistors Encapsulated by Hexagonal Boron Nitride with Gate-Controllable Contact, Resistance, and Threshold Voltage GH Lee, X Cui, YD Kim, G Arefe, X Zhang, CH Lee, F Ye, K Watanabe, ... ACS nano 9 (7), 7019-7026, 2015	466	2015
Measurement of Lateral and Interfacial Thermal Conductivity of Single-and Bilayer MoS2 and MoSe2 Using Refined Optothermal Raman Technique X Zhang, D Sun, Y Li, GH Lee, X Cui, D Chenet, Y You, TF Heinz, ... ACS Applied Materials & Interfaces 7 (46), 25923-25929, 2015	388	2015
Graphene mechanical oscillators with tunable frequency C Chen, S Lee, VV Deshpande, GH Lee, M Lekas, K Shepard, J Hone Nature nanotechnology 8 (12), 923-927, 2013	341	2013
Graphene based heterostructures C Dean, AF Young, L Wang, I Meric, GH Lee, K Watanabe, T Taniguchi, ... Solid State Communications 152 (15), 1275-1282, 2012	300	2012
2D semiconducting materials for electronic and optoelectronic applications: potential and challenge S Kang, D Lee, J Kim, A Capasso, HS Kang, JW Park, CH Lee, GH Lee 2D Materials 7 (2), 022003, 2020	247	2020
Effect of surface morphology on friction of graphene on various substrates DH Cho, L Wang, JS Kim, GH Lee, ES Kim, S Lee, SY Lee, J Hone, C Lee Nanoscale 5 (7), 3063-3069, 2013	193	2013
Tunable Electrical and Optical Characteristics in Monolayer Graphene and Few-Layer MoS₂ Heterostructure Devices S Rathi, I Lee, D Lim, J Wang, Y Ochiai, N Aoki, K Watanabe, T Taniguchi, ... Nano letters 15 (8), 5017-5024, 2015	179	2015
Mechanical properties of two-dimensional materials and their applications JH Kim, JH Jeong, N Kim, R Joshi, GH Lee Journal of Physics D: Applied Physics 52 (8), 083001, 2018	173	2018
Thickness-dependent Schottky barrier height of MoS2 field-effect transistors J Kwon, JY Lee, YJ Yu, CH Lee, X Cui, J Hone, GH Lee Nanoscale 9 (18), 6151-6157, 2017	162	2017
Two-Dimensional Semiconductor Optoelectronics Based on van der Waals Heterostructures JY Lee, JH Shin, GH Lee, CH Lee Nanomaterials 6 (11), 193, 2016	162	2016
Inking elastomeric stamps with micro‐patterned, single layer graphene to create high‐performance OFETs SJ Kang, B Kim, KS Kim, Y Zhao, Z Chen, GH Lee, J Hone, P Kim, ... Advanced Materials 23 (31), 3531, 2011	145	2011

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы