Michael Dudley

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	9108	2513
h-индекс	47	23
i10-индекс	195	71

560

280

140

420

199119921993199419951996199719981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202424 26 37 23 34 44 71 105 101 120 79 170 277 347 281 347 331 343 265 394 306 354 408 443 349 412 350 421 394 432 554 485 470 178

Общий доступ

Просмотреть все

29 статей

37 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Jianqiu GuoApplied MaterialsПодтвержден адрес электронной почты в домене amat.com
Fangzhen WuStony Brook UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене alumni.stonybrook.edu
JH EdgarKansas State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ksu.edu
Huanhuan WangStony Brook UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене stonybrook.edu
Zlatko SitarKobe Steel Distinguished Professor of Materials Science and Engineerign, North Carolina StateПодтвержден адрес электронной почты в домене ncsu.edu
Marek SkowronskiCarnegie Mellon UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cmu.edu
Raoul SchlesserHexaTech, Inc.Подтвержден адрес электронной почты в домене hexatechinc.com
Robert F. DavisCarnegie Mellon UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене andrew.cmu.edu
Ian BakerDartmouth CollegeПодтвержден адрес электронной почты в домене dartmouth.edu
Perena GoumaProfessor of Materials Science and EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене osu.edu
Vishwanath (Vish) PrasadProfessor of Mechanical Engineering, University of North TexasПодтвержден адрес электронной почты в домене unt.edu
Ramon CollazoProfessor of Materials Science and Engineering, NCSUПодтвержден адрес электронной почты в домене ncsu.edu
Dong Su（苏东）Institute of Physics, CAS; Pre: Brookhaven National Lab/BNL；Stony Brook Univ.; ASU; EPFLПодтвержден адрес электронной почты в домене iphy.ac.cn
stephen edward saddowDepartment of Electrical Engineering, University of South FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене usf.edu
Michael SpencerCornell University OR Howard Universtiy OR Morgan State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ece.cornell.edu
Phani Kumar KonkapakaCornell UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
Yanbin WangResearch Professor, University of ChicagoПодтвержден адрес электронной почты в домене cars.uchicago.edu
Huang WeiPh.D. candiadate of Climate Change, Lanzhou UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене lzu.edu.cn
Wei HuangXishuangbanna tropical botanical gardenПодтвержден адрес электронной почты в домене mail.ustc.edu.cn

Michael Dudley

Stony Brook Univ., Univ. of Warwick, Strathclyde Univ., Université Pierre et Marie Curie (Paris 6)

Подтвержден адрес электронной почты в домене stonybrook.edu


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Springer handbook of crystal growth G Dhanaraj, K Byrappa, V Prasad, M Dudley Springer, 2010	534	2010
Fabrication and characterization of polycrystalline WO3 nanofibers and their application for ammonia sensing G Wang, Y Ji, X Huang, X Yang, PI Gouma, M Dudley The Journal of Physical Chemistry B 110 (47), 23777-23782, 2006	306	2006
Study of bulk and elementary screw dislocation assisted reverse breakdown in low-voltage (< 250 V) 4H-SiC p(+)n junction diodes - Part I: DC properties PG Neudeck, W Huang, M Dudley IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 46 (3), 478-484, 1999	239*	1999
The mechanism of micropipe nucleation at inclusions in silicon carbide M Dudley, XR Huang, W Huang, A Powell, S Wang, P Neudeck, ... Applied physics letters 75 (6), 784-786, 1999	169	1999
Seeded growth of AlN bulk crystals in m-and c-orientation P Lu, R Collazo, RF Dalmau, G Durkaya, N Dietz, B Raghothamachar, ... Journal of Crystal Growth 312 (1), 58-63, 2009	167	2009
Breakdown degradation associated with elementary screw dislocations in 4H-SiC p+ n junction rectifiers PG Neudeck, W Huang, M Dudley MRS Online Proceedings Library (OPL) 483, 285, 1997	160	1997
Direct evidence of micropipe-related pure superscrew dislocations in SiC XR Huang, M Dudley, WM Vetter, W Huang, S Wang, CH Carter Jr Applied physics letters 74 (3), 353-355, 1999	155	1999
White-beam synchrotron topographic studies of defects in 6H-SiC single crystals M Dudley, S Wang, W Huang, CH Carter Jr, VF Tsvetkov, C Fazi Journal of Physics D: Applied Physics 28 (4A), A63, 1995	151	1995
Reduction of threading dislocation densities in AlN∕ sapphire epilayers driven by growth mode modification J Bai, M Dudley, WH Sun, HM Wang, MA Khan Applied physics letters 88 (5), 2006	132	2006
Recombination-enhanced defect motion in forward-biased 4H–SiC diodes M Skowronski, JQ Liu, WM Vetter, M Dudley, C Hallin, H Lendenmann Journal of applied physics 92 (8), 4699-4704, 2002	130	2002
Report on the growth of bulk aluminum nitride and subsequent substrate preparation JC Rojo, GA Slack, K Morgan, B Raghothamachar, M Dudley, ... Journal of crystal growth 231 (3), 317-321, 2001	129	2001
Study of the defect elimination mechanisms in aspect ratio trapping Ge growth J Bai, JS Park, Z Cheng, M Curtin, B Adekore, M Carroll, A Lochtefeld, ... Applied Physics Letters 90 (10), 2007	127	2007
VO2 films with strong semiconductor to metal phase transition prepared by the precursor oxidation process M Gurvitch, S Luryi, A Polyakov, A Shabalov, M Dudley, G Wang, S Ge, ... Journal of Applied Physics 102 (3), 2007	125	2007
Superscrew dislocation contrast on synchrotron white-beam topographs: an accurate description of the direct dislocation image XR Huang, M Dudley, WM Vetter, W Huang, W Si, CH Carter Jr Journal of applied crystallography 32 (3), 516-524, 1999	111	1999
Current status and emerging trends in wide bandgap (WBG) semiconductor power switching devices K Shenai, M Dudley, RF Davis ECS Journal of Solid State Science and Technology 2 (8), N3055, 2013	99	2013
X-ray characterization of bulk AIN single crystals grown by the sublimation technique B Raghothamachar, M Dudley, JC Rojo, K Morgan, LJ Schowalter Journal of Crystal Growth 250 (1-2), 244-250, 2003	93	2003
Nucleation of threading dislocations in sublimation grown silicon carbide EK Sanchez, JQ Liu, M De Graef, M Skowronski, WM Vetter, M Dudley Journal of applied physics 91 (3), 1143-1148, 2002	89	2002
Stacking faults created by the combined deflection of threading dislocations of Burgers vector c and c+ a during the physical vapor transport growth of 4H–SiC M Dudley, F Wu, H Wang, S Byrappa, B Raghothamachar, G Choi, S Sun, ... Applied Physics Letters 98 (23), 2011	81	2011
Contribution of x-ray topography and high-resolution diffraction to the study of defects in SiC M Dudley, XR Huang, WM Vetter Journal of Physics D: Applied Physics 36 (10A), A30, 2003	81	2003
Growth kinetics and thermal stress in the sublimation growth of silicon carbide R Ma, H Zhang, V Prasad, M Dudley Crystal growth & design 2 (3), 213-220, 2002	80	2002

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы