Подписаться
Serge Maleev
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Исследование на ЭВМ связи пробивного напряжения HFET на основе GaAs с размерами затворной полевой обкладки
АМ Зубков, ГЗ Гарбер, СА Малеев
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы, 32-37, 2009
22009
CВЧ ГИС десятиваттного трёхразрядного аттенюатора для выходного каскада усилителя мощности С-диапазона
ИМ Аболдуев, ВМ Вальд-Перлов, ГЗ Гарбер, АМ Зубков, ...
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы, 38-42, 2009
12009
Методика проектирования GaAs pin диодов с помощью САПР TCAD
АМ Зубков, ГЗ Гарбер, СА Малеев
Электронная техника. Серия 2: Полупроводниковые приборы, 3-8, 2008
12008
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–3