| Основы радиоэлектроники ВМ Борздов, АН Сетун | 61* | 2020 |
| Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники ВМ Борздов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров, ВО Галенчик Белорусский государственный университет, 2007 | 40 | 2007 |
| Моделирование электрофизических свойств твердотельных слоистых структур интегральной электроники ВМ Борздов, ФФ Комаров Белорусский государственный университет, 1999 | 34 | 1999 |
| Self‐consistent calculations of phonon scattering rates in the GaAs transistor structure with one‐dimensional electron gas AV Borzdov, DV Pozdnyakov, VO Galenchik, VM Borzdov, FF Komarov physica status solidi (b) 242 (15), R134-R136, 2005 | 23 | 2005 |
| Electron transport in armchair single-wall carbon nanotubes DV Pozdnyakov, VO Galenchik, FF Komarov, VM Borzdov Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 33 (2), 336-342, 2006 | 22 | 2006 |
| Effect of a transverse applied electric field on electron drift velocity in a GaAs quantum wire: a Monte Carlo simulation AV Borzdov, DV Pozdnyakov, VM Borzdov, AA Orlikovsky, VV V’yurkov Russian Microelectronics 39, 411-417, 2010 | 20 | 2010 |
| Intensity of intersubband electron scattering by polar optical phonons in semiconductor quantum wires with account of energy level broadening DV Pozdnyakov, VM Borzdov Physics of the Solid State 45, 2348-2351, 2003 | 17 | 2003 |
| The influence of energy levels broadening on intersubband acoustic phonon scattering rates in quantum wire VM Borzdov, VO Galenchik, FF Komarov, DV Pozdnyakov, OG Zhevnyak Physics Letters A 319 (3-4), 379-383, 2003 | 16 | 2003 |
| Electron-drift-velocity oscillations in GaAs-quantum wires with finite length VM Borzdov, OG Zhevnyak, VO Galenchik, FF Komarov, DV Pozdnyakov Nanotubes and Nanowires 5219, 159-166, 2003 | 15 | 2003 |
| Влияние электрон-электронного рассеяния на перенос носителей заряда в n-канале кремниевого субмикронного полевого транзистора: метод Монте-Карло ВМ Борздов, ОГ Жевняк, ФФ Комаров Физика и техника полупроводников 29 (2), 193-200, 1995 | 15 | 1995 |
| Monte Carlo simulation of impurity and surface roughness scattering effect on nonstationary hot electron transport in GaAs quantum wire VM Borzdov, FF Komarov, AV Homich, OG Zhevnyak PHYSICS OF LOW-DIMENSIONAL STRUCTURES 10, 63-69, 1997 | 14 | 1997 |
| Monte Carlo simulation of hot electron transport in deep submicron SOI MOSFET AV Borzdov, VM Borzdov, VV V'yurkov International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2014 9440, 311-317, 2014 | 13 | 2014 |
| Influence of scattering processes on electron quantum states in nanowires D Pozdnyakov, V Galenchik, A Borzdov, V Borzdov, F Komarov Nanoscale Research Letters 2, 213-218, 2007 | 13 | 2007 |
| Peculiar properties of electron transport in single-wall armchair carbon nanotubes DV Pozdnyakov, VO Galenchik, VM Borzdov, FF Komarov Nanomodeling II 6328, 197-205, 2006 | 13 | 2006 |
| Calculation of intersubband phonon scattering rates in Si-MOS structures with one-dimensional electron gas VM Borzdov, VO Galenchik, FF Komarov, DV Pozdnyakov, OG Zhevnyak Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS) 11, 21-26, 2002 | 11 | 2002 |
| Impact ionization process in deep submicron MOSFET D Speransky, A Borzdov, V Borzdov International Journal of Microelectronics and Computer Science 3 (1), 21-24, 2012 | 10 | 2012 |
| Calculation of electrophysical parameters of thin undoped GaAs-in-Al2O3 quantum nanowires and single-wall armchair carbon nanotubes D Pozdnyakov, A Borzdov, V Borzdov, V Labunov International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2009 7521, 251-259, 2010 | 10 | 2010 |
| Оценка эффективной пороговой энергии межзонной ударной ионизации в глубокосубмикронном кремниевом n-канальном МОП-транзисторе ВМ Борздов, АВ Борздов, ДС Сперанский, ВВ Вьюрков, ... Микроэлектроника 43 (3), 188-188, 2014 | 9 | 2014 |
| Ensemble Monte Carlo simulation of submicron n-channel MOSFETs with account of hot electron effects VM Borzdov, V Galenchik, O Zhevnyak, FF Komarov, A Zyazulya Micro-and Nanoelectronics 2003 5401, 634-641, 2004 | 8 | 2004 |
| Low-dimensional transit-time diodes for terahertz generation R Khabutdinov, I Semenikhin, F Davydov, D Svintsov, V Vyurkov, ... International Conference on Micro-and Nano-Electronics 2016 10224, 153-161, 2016 | 7 | 2016 |
