Fabrice Oehler

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	2527	1396
h-индекс	27	20
i10-индекс	70	46

260

130

195

200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202416 36 69 55 53 132 137 205 213 203 232 259 213 222 222 245

Общий доступ

Просмотреть все

62 статьи

4 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Rachel OliverProfessor of Materials Science, Cambridge UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cam.ac.uk
Colin HumphreysQueen Mary University of LondonПодтвержден адрес электронной почты в домене qmul.ac.uk
Gilles PatriarcheCentre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Université Paris Sud, Université ParisПодтвержден адрес электронной почты в домене c2n.upsaclay.fr
Philip DawsonUniversity of ManchesterПодтвержден адрес электронной почты в домене manchester.ac.uk
Thierry BaronCNRS, Université Grenoble AlpesПодтвержден адрес электронной почты в домене cea.fr
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudПодтвержден адрес электронной почты в домене u-psud.fr
Fengzai TangUniversity of Warwick, UKПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Martien Ilse den HertogInstitut Neel, GrenobleПодтвержден адрес электронной почты в домене grenoble.cnrs.fr
Jean-Luc ROUVIERECEAПодтвержден адрес электронной почты в домене cea.fr

Fabrice Oehler

CNRS researcher, Centre for Nanosciences and Nanotechnologies, Université Paris-Saclay (France)

Подтвержден адрес электронной почты в домене c2n.upsaclay.fr

2D materials semi-conductors epitaxy van der Waals nanostructures


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Control of gold surface diffusion on Si nanowires MI den Hertog, JL Rouviere, F Dhalluin, PJ Desré, P Gentile, P Ferret, ... Nano letters 8 (5), 1544-1550, 2008	138	2008
Epitaxy Of GaN Nanowires On Graphene V Kumaresan, L Largeau, A Madouri, F Glas, H Zhang, F Oehler, ... Nano Letters, 2016	135	2016
Sharpening the Interfaces of Axial Heterostructures in Self-Catalyzed AlGaAs Nanowires: Experiment and Theory G Priante, F Glas, G Patriarche, K Pantzas, F Oehler, JC Harmand Nano letters 16 (3), 1917-1924, 2016	96	2016
Effect of HCl on the doping and shape control of silicon nanowires P Gentile, A Solanki, N Pauc, F Oehler, B Salem, G Rosaz, T Baron, ... Nanotechnology 23 (21), 215702, 2012	90	2012
Measuring and modeling the growth dynamics of self-catalyzed GaP nanowire arrays F Oehler, A Cattoni, A Scaccabarozzi, G Patriarche, F Glas, JC Harmand Nano letters 18 (2), 701-708, 2018	79	2018
Abrupt GaP/GaAs Interfaces in Self-Catalyzed Nanowires G Priante, G Patriarche, F Oehler, F Glas, JC Harmand Nano letters 15 (9), 6036-6041, 2015	75	2015
Structural, electronic, and optical properties of m-plane InGaN/GaN quantum wells: Insights from experiment and atomistic theory S Schulz, DP Tanner, EP O'Reilly, MA Caro, TL Martin, PAJ Bagot, ... Physical Review B 92 (23), 235419, 2015	73	2015
The impact of trench defects in InGaN/GaN light emitting diodes and implications for the “green gap” problem FCP Massabuau, MJ Davies, F Oehler, SK Pamenter, EJ Thrush, ... Applied physics letters 105 (11), 2014	71	2014
Interface dipole and band bending in the hybrid heterojunction H Henck, Z Ben Aziza, O Zill, D Pierucci, CH Naylor, MG Silly, N Gogneau, ... Physical Review B 96 (11), 115312, 2017	67	2017
Surface recombination velocity measurements of efficiently passivated gold-catalyzed silicon nanowires by a new optical method O Demichel, V Calvo, A Besson, P Noe, B Salem, N Pauc, F Oehler, ... Nano letters 10 (7), 2323-2329, 2010	67	2010
The effects of HCl on silicon nanowire growth: surface chlorination and existence of a'diffusion-limited minimum diameter' F Oehler, P Gentile, T Baron, P Ferret Nanotechnology 20 (47), 475307, 2009	66	2009
The importance of the radial growth in the faceting of silicon nanowires F Oehler, P Gentile, T Baron, P Ferret, M Den Hertog, J Rouviere Nano letters 10 (7), 2335-2341, 2010	65	2010
Indium clustering in a-plane InGaN quantum wells as evidenced by atom probe tomography F Tang, T Zhu, F Oehler, WY Fu, JT Griffiths, FCP Massabuau, ... Applied Physics Letters 106 (7), 2015	62	2015
Indirect to direct band gap crossover in two-dimensional WS_2(1−x)Se_2x alloys C Ernandes, L Khalil, H Almabrouk, D Pierucci, B Zheng, J Avila, P Dudin, ... npj 2D Materials and Applications 5 (1), 7, 2021	53	2021
Non-polar (11-20) InGaN quantum dots with short exciton lifetimes grown by metal-organic vapor phase epitaxy T Zhu, F Oehler, BPL Reid, RM Emery, RA Taylor, MJ Kappers, RA Oliver Applied Physics Letters 102, 251905, 2013	53	2013
Structure and strain relaxation effects of defects in InxGa1− xN epilayers SL Rhode, WY Fu, MA Moram, FCP Massabuau, MJ Kappers, ... Journal of Applied Physics 116 (10), 2014	52	2014
Determination of n-Type Doping Level in Single GaAs Nanowires by Cathodoluminescence HL Chen, C Himwas, A Scaccabarozzi, P Rale, F Oehler, A Lemaître, ... Nano letters 17 (11), 6667-6675, 2017	50	2017
Hidden defects in silicon nanowires MI Den Hertog, C Cayron, P Gentile, F Dhalluin, F Oehler, T Baron, ... Nanotechnology 23 (2), 025701, 2011	50	2011
Surface morphology of homoepitaxial c-plane GaN: Hillocks and ridges F Oehler, T Zhu, S Rhode, MJ Kappers, CJ Humphreys, RA Oliver Journal of Crystal Growth 383, 12-18, 2013	49	2013
Self-induced growth of vertical GaN nanowires on silica V Kumaresan, L Largeau, F Oehler, H Zhang, O Mauguin, F Glas, ... Nanotechnology 27 (13), 135602, 2016	45	2016

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы