Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 1715 | 655 |
h-индекс | 24 | 13 |
i10-индекс | 56 | 20 |
Общий доступ
Просмотреть все4 статьи
2 статьи
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
- Dmitry IrzhakInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Oleg KononenkoInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Sergey SakharovОАО "ФОМОС-Материалс"Подтвержден адрес электронной почты в домене newpiezo.com
- Z* InsepovKazakh National Technical UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
- BoulangerUniversité Grenoble AlpesПодтвержден адрес электронной почты в домене neel.cnrs.fr
- Patricia SegondsInstitut Néel CNRS Université Joseph Fourier GrenobleПодтвержден адрес электронной почты в домене grenoble.cnrs.fr
- Maxim GrigorievScientist, Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Vasily PunegovКоми научный центр УрО РАНПодтвержден адрес электронной почты в домене dm.komisc.ru
- Lyudmila KokhanchikInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Vito MocellaCNR ISASIПодтвержден адрес электронной почты в домене na.isasi.cnr.it
- David FieldProfessor, School of Mechanical and Materials Engineering, Washington State UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене wsu.edu
Подписаться
Dmitry Roshchupkin
Institute of microelectronics technology and high-purity matarials Russian academy of sciences
Подтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru