Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 655 | 244 |
h-индекс | 14 | 8 |
i10-индекс | 21 | 6 |
Общий доступ
Просмотреть все0 статей
2 статьи
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
- Dmitry RoshchupkinInstitute of microelectronics technology and high-purity matarials Russian academy of sciencesПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Sergey SakharovОАО "ФОМОС-Материалс"Подтвержден адрес электронной почты в домене newpiezo.com
- Lyudmila KokhanchikInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Maxim GrigorievScientist, Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Oleg KononenkoInstitute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, RASПодтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru
- Gennady N. PaninProfessor of Physics, NITA, Dongguk University, IMT RASПодтвержден адрес электронной почты в домене dgu.edu
- Vasily PunegovКоми научный центр УрО РАНПодтвержден адрес электронной почты в домене dm.komisc.ru
Подписаться
Dmitry Irzhak
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials RAS
Подтвержден адрес электронной почты в домене iptm.ru