| Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semi-conductors NY K. Kierczynski., R. Vorobey, O. Gusev, K. Tyavlovsky, A. Svistun, L ... Przeglad Elektrotechniczny, 81-85, 2015 | 12* | 2015 |
| Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range SL Yarzhembitskaya N. KIERCZYŃSKI Konrad, Vorobey R., Gusev O., Tyavlovsky K ... Przeglad electrotechniczny, 75-78, 2014 | 10* | 2014 |
| Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин КЛТ РИ Воробей, ОК Гусев, АЛ Жарин, АН Петлицкий, ВА Пилипенко, АС Турцевич ... Приборы и методы измерений, 67-72, 2013 | 9 | 2013 |
| Analysis of the electrophysical and photoelectric properties of nanocomposite polymers by the modified Kelvin probe KU Pantsialeyeu, AU Krautsevich, IA Rovba, VI Lysenko, RI Vorobey, ... Devices and Methods of Measurements 8 (4), 386-397, 2017 | 7 | 2017 |
| Анализ дефектов поверхности исходных подложек алюминия и его сплавов методом сканирующего зонда Кельвина АК Тявловский, АЛ Жарин, ОК Гусев, РИ Воробей, НИ Мухуров, ... Приборы и методы измерений 8 (1), 2017 | 7 | 2017 |
| Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с многофункциональными одноэлементными фотоприемниками РИ Воробей, ОК Гусев, АИ Свистун, АК Тявловский, КЛ Тявловский, ... Приборы и методы измерений 9 (3), 2018 | 6 | 2018 |
| Analysis of surface defects of aluminum and its alloys with a scanning Kelvin probe AK Tyavlovsky, AL Zharin, OK Gusev, RI Varabei, NI Muhurov, ... Devices and Methods of Measurements 8 (1), 61-72, 2017 | 6 | 2017 |
| Неразрушающий контроль изделий с прецизионными поверхностями на основе методов зондовой электрометрии ТКЛ Воробей Р. И., Гусев О. К., Дубаневич А. В., Жарин А. Л., Пантелеев К ... Неразрушающий контроль и диагностика, 4-17, 2016 | 6* | 2016 |
| Kelvin probe error compensation based on harmonic analysis of measurement signal AK Tyavlovsky, AL Zharin, OK Gusev, K Kierczynski | 6 | 2014 |
| Моделирование метрологических характеристик емкостных первичных преобразователей средств зондовой электрометрии ЖАЛ Тявловский А.К., Гусев О.К. Приборы и методы измерений., 122-127, 2011 | 6 | 2011 |
| STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’SURFACE POTENTIAL RI Vorobey, OK Gusev, AL Zharin, AN Petlitsky, VA Pilipenko, ... Devices and Methods of Measurements, 67-72, 2015 | 5 | 2015 |
| Metrological performance modeling of probe electrometers capacitive sensors ALZ AK Tyavlovsky, OK Gusev Devices and methods of measurement, 122-127, 2011 | 5* | 2011 |
| Influence of rapid thermal treatment of initial silicon wafers on the electrophysical properties of silicon dioxide obtained by pyrogenous oxidation VA Pilipenko, VA Solodukha, A Zharin, O Gusev, R Vorobey, ... High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2019 | 4 | 2019 |
| Моделирование средств измерений параметров объектов с неопределенными состояниями OK Гусев, АИ Свистун Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 34-39, 2006 | 4 | 2006 |
| Characterization of the electrophysical properties of silicon-silicon dioxide interface using probe electrometry methods VА Pilipenko, VA Saladukha, VA Filipenya, RI Vorobey, OK Gusev, ... Devices and Methods of Measurements 8 (4), 344-356, 2017 | 3 | 2017 |
| Моделирование методов и средств многопараметрических измерений на основе одноэлементных первичных преобразователей ТАК Яржембицкая Н.В. Тявловский К.Л., Гусев О.К., Воробей Р.И., Свистун А.И. Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 33-37, 2009 | 3 | 2009 |
| The Identification algorithm of metrological characteristics of wide-range photovoltaic semiconductor converters with multiply impurities OK Gusev, AI Svistun, LI Shadurskaya, NV Yarjembitskaya Devices and methods of measurements, 99-103, 2015 | 2 | 2015 |
| Kelvin probe’s stray capacitance and noise simulation ALZ S Danyluk, AV Dubanevich,OK Gusev, AI Svistun, AK Tyavlovsky, KL ... Приборы и методы измерений, 94-98, 2014 | 2* | 2014 |
| Алгоритм неразрушающего контроля изделий с прецизионными поверхностями на основе методологии измерения параметров объектов с неопределенными состояниями АИС А.К. Тявловский К.Л. Тявловский, Р.И. Воробей, О.К. Гусев, А.В ... Метрология и приборостроение, 29-36, 2012 | 2 | 2012 |
| Многопараметрические измерения электрического потенциала поверхности с использованием адаптивной односигнальной модели ГОКСАИ Ананчиков И. А. Тявловский К. Л., Тявловский А. К., Воробей Р. И. Метрология и приборостроение, 27 – 32, 2008 | 2* | 2008 |
Роман Воробей (Vorobey, R)Belarusian National Technical UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене bntu.by
