Гусев О, (Gusev O.)
Гусев О, (Gusev O.)
Belarusian National Technical University, Minsk, Belarus.
Подтвержден адрес электронной почты в домене bntu.by - Главная страница
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semi-conductors
NY K. Kierczynski., R. Vorobey, O. Gusev, K. Tyavlovsky, A. Svistun, L ...
Przeglad Elektrotechniczny, 81-85, 2015
12*2015
Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
SL Yarzhembitskaya N. KIERCZYŃSKI Konrad, Vorobey R., Gusev O., Tyavlovsky K ...
Przeglad electrotechniczny, 75-78, 2014
10*2014
Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин
КЛТ РИ Воробей, ОК Гусев, АЛ Жарин, АН Петлицкий, ВА Пилипенко, АС Турцевич ...
Приборы и методы измерений, 67-72, 2013
92013
Analysis of the electrophysical and photoelectric properties of nanocomposite polymers by the modified Kelvin probe
KU Pantsialeyeu, AU Krautsevich, IA Rovba, VI Lysenko, RI Vorobey, ...
Devices and Methods of Measurements 8 (4), 386-397, 2017
72017
Анализ дефектов поверхности исходных подложек алюминия и его сплавов методом сканирующего зонда Кельвина
АК Тявловский, АЛ Жарин, ОК Гусев, РИ Воробей, НИ Мухуров, ...
Приборы и методы измерений 8 (1), 2017
72017
Измерительные преобразователи систем оптической диагностики с многофункциональными одноэлементными фотоприемниками
РИ Воробей, ОК Гусев, АИ Свистун, АК Тявловский, КЛ Тявловский, ...
Приборы и методы измерений 9 (3), 2018
62018
Analysis of surface defects of aluminum and its alloys with a scanning Kelvin probe
AK Tyavlovsky, AL Zharin, OK Gusev, RI Varabei, NI Muhurov, ...
Devices and Methods of Measurements 8 (1), 61-72, 2017
62017
Неразрушающий контроль изделий с прецизионными поверхностями на основе методов зондовой электрометрии
ТКЛ Воробей Р. И., Гусев О. К., Дубаневич А. В., Жарин А. Л., Пантелеев К ...
Неразрушающий контроль и диагностика, 4-17, 2016
6*2016
Kelvin probe error compensation based on harmonic analysis of measurement signal
AK Tyavlovsky, AL Zharin, OK Gusev, K Kierczynski
62014
Моделирование метрологических характеристик емкостных первичных преобразователей средств зондовой электрометрии
ЖАЛ Тявловский А.К., Гусев О.К.
Приборы и методы измерений., 122-127, 2011
62011
STUDY OF SILICON-INSULATOR STRUCTURE DEFECTS BASED ON ANALYSIS OF A SPATIAL DISTRIBUTION OF A SEMICONDUCTOR WAFERS’SURFACE POTENTIAL
RI Vorobey, OK Gusev, AL Zharin, AN Petlitsky, VA Pilipenko, ...
Devices and Methods of Measurements, 67-72, 2015
52015
Metrological performance modeling of probe electrometers capacitive sensors
ALZ AK Tyavlovsky, OK Gusev
Devices and methods of measurement, 122-127, 2011
5*2011
Influence of rapid thermal treatment of initial silicon wafers on the electrophysical properties of silicon dioxide obtained by pyrogenous oxidation
VA Pilipenko, VA Solodukha, A Zharin, O Gusev, R Vorobey, ...
High Temperature Material Processes: An International Quarterly of High …, 2019
42019
Моделирование средств измерений параметров объектов с неопределенными состояниями
OK Гусев, АИ Свистун
Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 34-39, 2006
42006
Characterization of the electrophysical properties of silicon-silicon dioxide interface using probe electrometry methods
VА Pilipenko, VA Saladukha, VA Filipenya, RI Vorobey, OK Gusev, ...
Devices and Methods of Measurements 8 (4), 344-356, 2017
32017
Моделирование методов и средств многопараметрических измерений на основе одноэлементных первичных преобразователей
ТАК Яржембицкая Н.В. Тявловский К.Л., Гусев О.К., Воробей Р.И., Свистун А.И.
Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, 33-37, 2009
32009
The Identification algorithm of metrological characteristics of wide-range photovoltaic semiconductor converters with multiply impurities
OK Gusev, AI Svistun, LI Shadurskaya, NV Yarjembitskaya
Devices and methods of measurements, 99-103, 2015
22015
Kelvin probe’s stray capacitance and noise simulation
ALZ S Danyluk, AV Dubanevich,OK Gusev, AI Svistun, AK Tyavlovsky, KL ...
Приборы и методы измерений, 94-98, 2014
2*2014
Алгоритм неразрушающего контроля изделий с прецизионными поверхностями на основе методологии измерения параметров объектов с неопределенными состояниями
АИС А.К. Тявловский К.Л. Тявловский, Р.И. Воробей, О.К. Гусев, А.В ...
Метрология и приборостроение, 29-36, 2012
22012
Многопараметрические измерения электрического потенциала поверхности с использованием адаптивной односигнальной модели
ГОКСАИ Ананчиков И. А. Тявловский К. Л., Тявловский А. К., Воробей Р. И.
Метрология и приборостроение, 27 – 32, 2008
2*2008
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20