In Hwan Lee

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	8486	4211
h-индекс	46	33
i10-индекс	226	121

820

410

205

615

1999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202432 47 67 62 49 66 50 73 63 116 159 149 307 313 322 376 479 549 470 471 537 659 683 763 805 760

Общий доступ

Просмотреть все

21 статья

2 статьи

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

N.B. SmirnovInstitute of Rare MetalsПодтвержден адрес электронной почты в домене giredmet.ru
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaПодтвержден адрес электронной почты в домене mse.ufl.edu
A.P. UthirakumarBrain-Pool Scientist, Korea University, Professor, Dept. of Chem., Sona College of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr
Jin-Hyeon YunChonbuk national universityПодтвержден адрес электронной почты в домене jbnu.ac.kr
Jin-Kyu YangProfessor of Dept. of Optical Engineering, Kongju National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене kongju.ac.kr
Hilmi Volkan DemirBilkent University UNAM, Turkey, and NTU SingaporeПодтвержден адрес электронной почты в домене bilkent.edu.tr
Trilochan SahooDepartment of Physics and Nanotechnology, SRM UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ktr.srmuniv.ac.in
Seong-Ju ParkGwangju Institute of Science and Technology, KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене gist.ac.kr
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене yale.edu
Prabhakar RaiZSI, Ministry of Environment and ForestsПодтвержден адрес электронной почты в домене zsi.gov.in
DONG WOOK KIMkorea research institute of chemical technologyПодтвержден адрес электронной почты в домене krict.re.kr
Andrej KuznetsovProfessor of Physics, University of OsloПодтвержден адрес электронной почты в домене fys.uio.no
Sedat NizamogluAssociate Professor, Electrical and Electronics Engineering, Koc UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ku.edu.tr
Emre SARI, Ph.D.Izmir Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене iyte.edu.tr
Hyung Koun ChoProfessor, Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & EngineeringПодтвержден адрес электронной почты в домене skku.edu
Sang-Woo KIMProfessor of Mater. Sci. Eng., YONSEI UNIVERSITYПодтвержден адрес электронной почты в домене yonsei.ac.kr
Sudarsan RajNagoya UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене imass.nagoya-u.ac.jp
Joon Seop KwakKorea Institute of Energy Technology/Sunchon National UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене kentech.ac.kr
Suraj Kumar TripathyAssistant Professor, KIIT UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене kiitbiotech.ac.in
Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TПодтвержден адрес электронной почты в домене che.ufl.edu

In Hwan Lee

Department of Materials Science & Engineering, Korea University

Подтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr - Главная страница

Optoelectronic materials and devices Semiconductor thin films Nano-structures


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices AY Polyakov, IH Lee Materials Science and Engineering: R: Reports 94, 1-56, 2015	247	2015
Au@ NiO core-shell nanoparticles as a p-type gas sensor: Novel synthesis, characterization, and their gas sensing properties with sensing mechanism SM Majhi, GK Naik, HJ Lee, HG Song, CR Lee, IH Lee, YT Yu Sensors and Actuators B: Chemical 268, 223-231, 2018	180	2018
Au@ Cu 2 O core–shell nanoparticles as chemiresistors for gas sensor applications: effect of potential barrier modulation on the sensing performance P Rai, R Khan, S Raj, SM Majhi, KK Park, YT Yu, IH Lee, PK Sekhar Nanoscale 6 (1), 581-588, 2014	169	2014
Dry etch damage in n-type GaN and its recovery by treatment with an plasma JM Lee, KM Chang, SW Kim, C Huh, IH Lee, SJ Park Journal of Applied Physics 87 (11), 7667-7670, 2000	169	2000
Highly efficient degradation of dyes by carbon quantum dots/N-doped zinc oxide (CQD/N-ZnO) photocatalyst and its compatibility on three different commercial dyes under daylight S Muthulingam, IH Lee, P Uthirakumar Journal of colloid and interface science 455, 101-109, 2015	145	2015
Evolution of stress relaxation and yellow luminescence in GaN/sapphire by Si incorporation IH Lee, IH Choi, CR Lee, SK Noh Applied physics letters 71 (10), 1359-1361, 1997	140	1997
Understanding nonpolar GaN growth through kinetic Wulff plots Q Sun, CD Yerino, TS Ko, YS Cho, IH Lee, J Han, ME Coltrin Journal of Applied Physics 104 (9), 2008	132	2008
Glucose-assisted synthesis of Cu2O shuriken-like nanostructures and their application as nonenzymatic glucose biosensors R Khan, R Ahmad, P Rai, LW Jang, JH Yun, YT Yu, YB Hahn, IH Lee Sensors and Actuators B: Chemical 203, 471-476, 2014	124	2014
Band-gap narrowing and potential fluctuation in Si-doped GaN IH Lee, JJ Lee, P Kung, FJ Sanchez, M Razeghi Applied physics letters 74 (1), 102-104, 1999	114	1999
Low-Temperature Solution-Processed SnO₂ Nanoparticles as a Cathode Buffer Layer for Inverted Organic Solar Cells VH Tran, RB Ambade, SB Ambade, SH Lee, IH Lee ACS Applied Materials & Interfaces 9 (2), 1645-1653, 2017	104	2017
Stress relaxation in Si-doped GaN studied by Raman spectroscopy IH Lee, IH Choi, CR Lee, E Shin, D Kim, SK Noh, SJ Son, KY Lim, ... Journal of applied physics 83 (11), 5787-5791, 1998	100	1998
Nitrogen-polar GaN growth evolution on c-plane sapphire Q Sun, YS Cho, IH Lee, J Han, BH Kong, HK Cho Applied Physics Letters 93 (13), 2008	96	2008
Effect of annealing temperature on optical band-gap of amorphous indium zinc oxide film JW Jeon, DW Jeon, T Sahoo, M Kim, JH Baek, JL Hoffman, NS Kim, ... Journal of Alloys and Compounds 509 (41), 10062-10065, 2011	91	2011
Hydrothermal synthesis of In2O3 nanocubes for highly responsive and selective ethanol gas sensing TTD Nguyen, HN Choi, MJ Ahemad, D Van Dao, IH Lee, YT Yu Journal of Alloys and Compounds 820, 153133, 2020	83	2020
Fast neutron irradiation effects in n-GaN AY Polyakov, NB Smirnov, AV Govorkov, AV Markov, SJ Pearton, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2007	80	2007
Investigation of Optical and Structural Stability of Localized Surface Plasmon Mediated Light‐Emitting Diodes by Ag and Ag/SiO2 Nanoparticles LW Jang, DW Jeon, M Kim, JW Jeon, AY Polyakov, JW Ju, SJ Lee, ... Advanced Functional Materials 22 (13), 2728-2734, 2012	74	2012
Improved hydrogen detection sensitivity in N-polar GaN Schottky diodes YL Wang, F Ren, U Zhang, Q Sun, CD Yerino, TS Ko, YS Cho, IH Lee, ... Applied physics letters 94 (21), 2009	70	2009
Effective sulfur passivation of an -type GaN surface by an alcohol-based sulfide solution C Huh, SW Kim, HS Kim, IH Lee, SJ Park Journal of Applied Physics 87 (9), 4591-4593, 2000	68	2000
Reduction of stacking fault density in m-plane GaN grown on SiC YS Cho, Q Sun, IH Lee, TS Ko, CD Yerino, J Han, BH Kong, HK Cho, ... Applied Physics Letters 93 (11), 2008	67	2008
Characteristics comparison between GaN epilayers grown on patterned and unpatterned sapphire substrate (0 0 0 1) JC Song, SH Lee, IH Lee, KW Seol, S Kannappan, CR Lee Journal of Crystal Growth 308 (2), 321-324, 2007	67	2007

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы