Подписаться
Барайшук, Сергей (Baraishuk Siarhei, Baraishuk S.M.)
Барайшук, Сергей (Baraishuk Siarhei, Baraishuk S.M.)
БГАТУ, Агроэнергетический факультет
Подтвержден адрес электронной почты в домене bsatu.by - Главная страница
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Элементный состав, топография и смачиваемость поверхности графита, модифицированного ионно-ассистированным осаждением хромовых покрытий
ИС Ташлыков, СМ Барайшук
372008
Изучение ядерно-физическими методами металлосодержащих (Ti, Co)-покрытий, осажденных методом ионного ассистирования на кремний
ОГ Бобрович, ИС Ташлыков, ВВ Тульев, СМ Барайшук
182006
Elemental composition, topography, and wettability of the surface of graphite modified by ion-assisted deposition of chromium coatings
IS Tashlykov, SM Baraishuk
Russian Journal of Non-Ferrous Metals 49 (4), 303-307, 2008
172008
Structural and phase analysis of rapidly solidified Al-Fe alloys
II Tashlykova-Bushkevich, ES Gut’ko, VG Shepelevich, SM Baraishuk
Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques …, 2008
152008
Composition, structure and surface morphology of silicon modified by ion dynamic mixing
I Tashlykov, S Baraishuk, O Mikkalkovich, I Antonovich
Przeglad Elektrotechniczny 84 (3), 111, 2008
112008
Структура и повреждение кремния, модифицированного ионно-ассистированным нанесением тонких пленок
ИС Ташлыков, СМ Барайшук, ОМ Михалкович, И Антонович
102008
Склерометрический метод измерения микротвердости пленок фоторезиста на кремнии
ДИ Бринкевич, ВС Просолович, ЮН Янковский, СА Вабищевич, ...
Приборы и методы измерений 7 (1), 77-84, 2016
82016
Изучение поверхности структур металл/кремний, приготовленных ионно-ассистированным нанесением покрытий
СМ Барайшук, ВФ Гременок, ВВ Тульев, ИС Ташлыков
ФХОМ, 66, 2011
62011
Особенности постановки лабораторной работы по изучению электрических свойств проводниковых и полупроводниковых материалов на базе универсального электромонтажного комплекса
С Барайшук, Т Ткаченка, А Михальцов, М Янко
Вести Белорусского государственного педагогического университета. Серия 3 …, 2017
52017
Исследование тонких пленок Cu2ZnSnSe4 методом атомно-силовой микроскопии
АВ Станчик, СМ Барайшук, СА Башкиров, ВФ Гременок, МС Тиванов, ...
Выдавецкі дом Беларуская навука, Мінск, Рэспубліка Беларусь, 2016
52016
Композиционный состав и повреждение поверхности кремния при ионно-ассистированном нанесении тонких пленок
ИС Ташлыков, ОГ Бобрович, СМ Барайшук, ОМ Михалкович, ...
52009
Элементный и фазовый анализ быстрозатвердевших сплавов Al–Fe
ВГШСМБ И.И. Ташлыкова–Бушкевич, Е.С. Гутько
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования., 69-75, 2008
5*2008
Izvestia VUZov
IS Tashlykov, SM Baraishuk
Powder metallurgy and functional coatings 1, 30-35, 2008
52008
Analysis of the composition of Ti-based thin films deposited on silicon by means of self-ion assisted deposition
IS Tashlykov, PV Zukowski, SM Baraishuk, OM Mikhalkovich
Radiation Effects & Defects in Solids 162 (9), 637-641, 2007
52007
Морфология и смачиваемость поверхности структур пленка Mo, Al, Al+ 1ат.% Cr/стекло, сформированных ионно-ассистированным осаждением
ОМ Михалкович, ИИ Ташлыкова-Бушкевич, ЮС Яковенко, ...
42015
Снижение сопротивления заземляющих устройств применением обработки грунта неагрессивными к материалу заземлителя стабилизирующими влажность добавками
СМ Барайшук, ИА Павлович
Агропанорама 137 (1), 20-23, 2020
32020
Методика постановки лабораторной работы по изучению зависимости электрических свойств полупроводниковых материалов от освещенности
ТМ Ткаченко, СМ Барайшук, АП Михальцов, МВ Янко
32018
Vestsi Nats. Akad. Nauk Belarusi., Ser. Fiz.-Mat
AV Stanchik, SM Barajshuk, SA Bashkirov
Nauk, No. 4, 67, 2016
32016
Состав и нанотвердость покрытий на Si, полученных методом ионно-ассистированного осаждения
ИС Ташлыков, СМ Барайшук, ВВ Тульев, ВФ Гременок
32011
Влияние типа подложки на морфологию поверхности тонких пленок Cu2ZnSnSe4
С Барайшук, Т Ткаченко, А Станчик, В Гременок, С Башкиров, ...
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 35-41, 2018
22018
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20