Влияние длительной работы и температуры на спектры карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш Журнал технической физики 69 (10), 69-76, 1999 | 9 | 1999 |
Влияние длительной работы при максимальной токовой нагрузке на характеристики карбид-кремниевых светодиодов, работающих в режиме электрического пробоя МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, СА Станкевич Журнал технической физики 67 (1), 130-132, 1997 | 8 | 1997 |
Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-переходах на карбиде кремния АМ Генкин, ВК Генкина, ЛП Гермаш Журнал технической физики 70 (4), 52-55, 2000 | 5* | 2000 |
Пробойная электролюминесценция светодиодов на базе карбида кремния ЮМ Алтайский, АМ Генкин, ВК Генкина, ЛГ Огнева Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, 76-78, 1987 | 5* | 1987 |
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина Физика и техника полупроводников 33 (6), 727-732, 1999 | 4 | 1999 |
Effect of continuous operation at maximum current load on the characteristics of SiC LEDs operating in the electrical breakdown mode MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich J. Technical Physics 67 (1), 130-132, 1997 | 4 | 1997 |
О спектрах пробойной электролюминесценции р-n-структур на карбиде кремния МВ Белоус, АМ Генкин, ВК Генкина, ОА Гусева Физика и техника полупроводников 31 (2), 213-217, 1997 | 4* | 1997 |
Широкополосный светодиод с малой площадью излучения ЮМ Алтайский, СФ Авраменко, АМ Генкин, ВК Генкина, ВС Киселев, ... Приборы и техника эксперимента, 245, 1986 | 4 | 1986 |
HIGHLY STABLE PHOTO-DIODE ON THE BASIS OF SILICON-CARBIDE YM Altaiskii, AM Genkin ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI 52 (3), 543-545, 1982 | 4 | 1982 |
Oscillatory structure in radiation spectra of individual microplasmas in silicon carbide p-n-junctions AM Genkin, VK Genkina, LP Germash, SM Zubkova European Physical Journal Applied Physics 33 (3), 161-166, 2006 | 3 | 2006 |
О предпробойном излучении в SiC-15R ЮМ Алтайский, АМ Генкин Техника средств связи. Сер. Общетехн., 37-40, 1982 | 3* | 1982 |
О спектрах предпробойной электролюминесценции в карбиде кремния политипа 6Н ЮМ Алтайский, АМ Генкин Физика и техника полупроводников 14 (7), 1397-1399, 1980 | 3 | 1980 |
PRE-BREAKDOWN VIOLET LUMINESCENCE EMITTED BY CUBIC SILICON-CARBIDE AM Genkin, VN Rodionov SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR 13 (4), 463-464, 1979 | 3 | 1979 |
Предпробойное фиолетовое излучение в карбиде кремния кубической модификации АМ Генкин, ВН Родионов Физика и техника полупроводников 13 (4), 789-791, 1979 | 3 | 1979 |
Electrical properties of highly nitrogen doped 6H SiC monocrystals: microwave cavity perturbation study ENK D.V. Savchenko, D.M. Yatsyk, O.M. Genkin, Yu.F. Nosachov, O.V. Drozdenko ... SPQEO 26, 030-035, 2023 | 2* | 2023 |
Reference LED source of subnanosecond pulses of broadband optical radiation S Voronov, O Genkin, V Genkina, V Rodionov, R Romaniuk, P Kisała, ... Photonics Applications in Astronomy, Communications, Industry, and High …, 2017 | 2 | 2017 |
Елементи і системи поляризаційних приладів для космічних досліджень МД Гераїмчук, ОМ Генкін, ОВ Івахів, ЮП Куреньов, ОВ Мороженко, ... Київ: ЕКМО, 2009 | 2 | 2009 |
Breakdown electroluminescence spectra of silicon carbide p-n junctions MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, OA Guseva Semiconductors 31 (2), 169-172, 1997 | 2 | 1997 |
Influence of prolonged operation at the maximum current load on the characteristics of silicon carbide light-emitting diodes operating in an electrical breakdown regime MV Belous, AM Genkin, VK Genkina, SA Stankevich Zh. Tekh. Fiz. 67 (1), 115-117, 1997 | 2 | 1997 |
Radiation polarization of silicon carbide p-n-structures, operating in electrical breakdown regime AM Genkin, VK Genkina, SM Zubkova European Physical Journal Applied Physics 70 (2), 20103, 2015 | 1 | 2015 |