Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 2164 | 1619 |
h-индекс | 19 | 16 |
i10-индекс | 21 | 20 |
Общий доступ
Просмотреть все7 статей
0 статей
доступно
недоступно
На основе финансирования
Соавторы
- Jiho SungHarvard UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене fas.harvard.edu
- Ji-Hoon AhnHanyang UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене hanyang.ac.kr
- Myoung-Jae LeeDaegu Gyeongubuk Institute of Science & Technology (DGIST)Подтвержден адрес электронной почты в домене dgist.ac.kr
- Hyunyong ChoiProfessor, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене snu.ac.kr
- Gangtae JinAssistant Professor, Department of Electronic Engineering, Gachon UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cornell.edu
- Kibum KangDept. of Materials Science & Engineering, KAISTПодтвержден адрес электронной почты в домене kaist.ac.kr
- Chang-Soo LeePOSTECH, Pohang University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
- Si-Young ChoiPOSTECHПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
- Yong-Mook KangProfessor of Materials Science and Engineering, Korea UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене korea.ac.kr
- Sunyoung YooPOSTECH, KoreaПодтвержден адрес электронной почты в домене postech.ac.kr
- Geunhee LeePeople4Net Inc.Подтвержден адрес электронной почты в домене people4nets.com
Подписаться
Hoseok Heo
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
Подтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com