Rajib Rahman

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	5765	3040
h-индекс	41	31
i10-индекс	89	70

580

290

145

435

2008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202437 90 120 174 108 170 194 299 397 521 578 460 488 560 513 448 569

Общий доступ

Просмотреть все

65 статей

9 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
Lloyd C. L. HollenbergThomas Baker Chair, School of Physics, University of MelbourneПодтвержден адрес электронной почты в домене unimelb.edu.au
Michelle Y. SimmonsDirector, Centre of Excellence for Quantum Computation and Communication TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Sven RoggeProfessor of Physics, University of New South WalesПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Yu-Ling HsuehUniversity of New South WalesПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Tarek AmeenComponent Design Engineer at IntelПодтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Joe SalfiAssistant Professor, University of British Columbia.Подтвержден адрес электронной почты в домене ece.ubc.ca
Andrea MorelloScientia Professor of Quantum Engineering, University of New South WalesПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
Harshad SahasrabudheThe MathWorks, Inc.Подтвержден адрес электронной почты в домене mathworks.com
Bent WeberNanyang Technological UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ntu.edu.sg
Malcolm CarrollInternational Business MachinesПодтвержден адрес электронной почты в домене ibm.com
Archana TankasalaPurdue UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
Fahd A. MohiyaddinResearch Scientist, IntelПодтвержден адрес электронной почты в домене intel.com
Muhammad UsmanCSIRO's Data61 and The University of Melbourne, AustraliaПодтвержден адрес электронной почты в домене alumni.purdue.edu
Benoit VoisinResearch fellow, CQC2T, University of New South Wales, Sydney, AustraliaПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Samuel Keith GormanResearch Fellow, University of New South WalesПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Andrew DzurakScientia Professor in Electrical Engineering, UNSWПодтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au
Fan ChenSamsungПодтвержден адрес электронной почты в домене purdue.edu
Rick MullerSandia National LaboratoriesПодтвержден адрес электронной почты в домене sandia.gov

Rajib Rahman

Associate Professor of Physics, University of New South Wales

Подтвержден адрес электронной почты в домене unsw.edu.au - Главная страница

Quantum Computing Quantum Dots 2D Materials Nanoelectronics Condensed Matter Physics


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Gate-induced quantum-confinement transition of a single dopant atom in a silicon FinFET GP Lansbergen, R Rahman, CJ Wellard, I Woo, J Caro, N Collaert, ... Nature Physics 4 (8), 656-661, 2008	450	2008
Atomistic simulation of realistically sized nanodevices using NEMO 3-D—Part I: Models and benchmarks G Klimeck, SS Ahmed, H Bae, N Kharche, S Clark, B Haley, S Lee, ... IEEE Transactions on Electron Devices 54 (9), 2079-2089, 2007	294	2007
Tunnel field-effect transistors in 2-D transition metal dichalcogenide materials H Ilatikhameneh, Y Tan, B Novakovic, G Klimeck, R Rahman, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	246	2015
Electrically Tunable Bandgaps in Bilayer MoS₂ T Chu, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman, Z Chen Nano letters 15 (12), 8000-8007, 2015	219	2015
Silicon quantum processor with robust long-distance qubit couplings G Tosi, FA Mohiyaddin, V Schmitt, S Tenberg, R Rahman, G Klimeck, ... Nature communications 8 (1), 450, 2017	208	2017
Electrically controlling single-spin qubits in a continuous microwave field A Laucht, JT Muhonen, FA Mohiyaddin, R Kalra, JP Dehollain, S Freer, ... Science advances 1 (3), e1500022, 2015	186	2015
Spin blockade and exchange in Coulomb-confined silicon double quantum dots B Weber, YHM Tan, S Mahapatra, TF Watson, H Ryu, R Rahman, ... Nature nanotechnology 9 (6), 430-435, 2014	172	2014
Spin readout and addressability of phosphorus-donor clusters in silicon H Büch, S Mahapatra, R Rahman, A Morello, MY Simmons Nature communications 4 (1), 2017, 2013	166	2013
High precision quantum control of single donor spins in silicon R Rahman, CJ Wellard, FR Bradbury, M Prada, JH Cole, G Klimeck, ... Physical review letters 99 (3), 036403, 2007	162	2007
Few-layer phosphorene: An ideal 2D material for tunnel transistors TA Ameen, H Ilatikhameneh, G Klimeck, R Rahman Scientific reports 6 (1), 28515, 2016	122	2016
Spatially resolving valley quantum interference of a donor in silicon J Salfi, JA Mol, R Rahman, G Klimeck, MY Simmons, LCL Hollenberg, ... Nature materials 13 (6), 605-610, 2014	122	2014
Quantum simulation of the Hubbard model with dopant atoms in silicon J Salfi, JA Mol, R Rahman, G Klimeck, MY Simmons, LCL Hollenberg, ... Nature communications 7 (1), 11342, 2016	121	2016
Aharonov–Bohm interference of fractional quantum Hall edge modes J Nakamura, S Fallahi, H Sahasrabudhe, R Rahman, S Liang, ... Nature Physics 15 (6), 563-569, 2019	107	2019
Dielectric engineered tunnel field-effect transistor H Ilatikhameneh, TA Ameen, G Klimeck, J Appenzeller, R Rahman IEEE Electron Device Letters 36 (10), 1097-1100, 2015	106	2015
Polarization-engineered III-nitride heterojunction tunnel field-effect transistors W Li, S Sharmin, H Ilatikhameneh, R Rahman, Y Lu, J Wang, X Yan, ... IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits 1 …, 2015	104	2015
Orbital Stark effect and quantum confinement transition of donors in silicon R Rahman, GP Lansbergen, SH Park, J Verduijn, G Klimeck, S Rogge, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 80 (16), 165314, 2009	102	2009
Complementary black phosphorus tunneling field-effect transistors P Wu, T Ameen, H Zhang, LA Bendersky, H Ilatikhameneh, G Klimeck, ... ACS nano 13 (1), 377-385, 2018	97	2018
Atomically engineered electron spin lifetimes of 30 s in silicon TF Watson, B Weber, YL Hsueh, LCL Hollenberg, R Rahman, ... Science advances 3 (3), e1602811, 2017	96	2017
Saving Moore’s law down to 1 nm channels with anisotropic effective mass H Ilatikhameneh, T Ameen, B Novakovic, Y Tan, G Klimeck, R Rahman Scientific reports 6 (1), 31501, 2016	93	2016
Direct Observation of 2D Electrostatics and Ohmic Contacts in Template-Grown Graphene/WS₂ Heterostructures C Zheng, Q Zhang, B Weber, H Ilatikhameneh, F Chen, H Sahasrabudhe, ... ACS nano 11 (3), 2785-2793, 2017	90	2017

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы