Подписаться
Ковалев Александр Игоревич (AI Kovalev)
Ковалев Александр Игоревич (AI Kovalev)
Junior Researcher, Belarusian State University, Faculty of Physics, 4 Nezavisimosti Av., 220030
Подтвержден адрес электронной почты в домене bsu.by
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Ionization equilibrium at the transition from valence-band to acceptor-band migration of holes in boron-doped diamond
NA Poklonski, SA Vyrko, ON Poklonskaya, AI Kovalev, AG Zabrodskii
Journal of Applied Physics 119 (24), 2016
232016
A quasi-classical model of the Hubbard gap in lightly compensated semiconductors
NA Poklonski, SA Vyrko, AI Kovalev, AG Zabrodskii
Semiconductors 50, 299-308, 2016
172016
Drift-diffusion model of hole migration in diamond crystals via states of valence and acceptor bands
NA Poklonski, SA Vyrko, AI Kovalev, AN Dzeraviaha
Journal of Physics Communications 2 (1), 015013, 2018
132018
Semiconductor diode with hopping migration of electrons via point defects of crystalline matrix
NA Poklonski, AI Kovalev, SA Vyrko, AT Vlassov
Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus 61 (3), 30-37, 2017
82017
Drift and diffusion of electrons via two-level (triple-charged) point defects in crystalline semiconductors
NA Poklonski, AI Kovalev, SA Vyrko
Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus 58 (3), 37-43, 2016
72016
Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках
НА Поклонский, АИ Ковалев, СА Вырко
Доклады Национальной академии наук Беларуси 58 (3), 37-43, 2016
62016
Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы
НА Поклонский, АИ Ковалев, СА Вырко, АТ Власов
Доклады Национальной академии наук Беларуси 61 (3), 30-37, 2017
42017
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
NA Poklonski, AI Kovalev, NI Gorbachuk, SV Shpakovski
ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ 9 (2), 131, 2018
32018
Stationary hopping migration of bipolarons via “soft” point defects in partly disordered semiconductors
NA Poklonski, SA Vyrko, AI Kovalev
Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and …, 2016
32016
Экспресс-методика бесконтактного измерения электрических параметров небольших образцов на сверхвысоких частотах
НА Поклонский, АИ Сягло, ВТ Шнитко, ВА Меркулов, МО Давиденя, ...
Приборы и методы измерений, 64-71, 2013
32013
Magnetic and optical properties of natural diamonds with subcritical radiation damage induced by fast neutrons
NA Poklonski, AA Khomich, IA Svito, SA Vyrko, ON Poklonskaya, ...
Applied Sciences 13 (10), 6221, 2023
22023
Engineering of defects in fast neutron irradiated synthetic diamonds
AA Khomich, AI Kovalev, RA Khmelnitsky, AV Khomich, AF Popovich, ...
Journal of Physics: Conference Series 2103 (1), 012076, 2021
22021
Design of Peltier element based on semiconductors with hopping electron transfer via defects
NA Poklonski, SA Vyrko, AI Kovalev, II Anikeev, NI Gorbachuk
Приборы и методы измерений 12 (1), 13-22, 2021
22021
Low-frequency electrical capacitance of semiconductor diode with hopping conductivity via triple-charged defects
NA Poklonski, AI Kovalev, SA Vyrko
Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus 61 (4), 52-59, 2017
22017
Стационарная прыжковая миграция биполяронов по «мягким» точечным дефектам в частично разупорядоченных полупроводниках
НА Поклонский, СА Вырко, АИ Ковалев
Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических …, 2016
22016
Fast method of non-contact microwave measurements of electrical parameters of compact samples
NA Poklonski, AI Siahlo, VT Shnitko, VA Merkulov, OM Davidenia, ...
Devices and Methods of Measurements, 64-71, 2015
22015
Современные тенденции развития мирохозяйственных связей: миграция, интеграция, интернационализация
ЕЕ Белокоскова, ЮП Дусь, АИ Ковалев
Федеральное государственное унитарное предприятие Академический научно …, 2005
22005
Ordering of uncompensated spin moments of electrons in irradiation-modified diamonds
NA Poklonski, IA Svito, SA Vyrko, ON Poklonskaya, AI Kovalev, ...
12021
Особенности адсорбции и десорбции водяных паров на поверхности пленок нестехиометрического диоксида олова
ДВ Адамчук, ВК Ксеневич, НА Поклонский, АИ Ковалев
Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических …, 2020
12020
THERMAL ACTIVATION ENERGY OF HOPPING ε2-CONDUCTION VIA BORON ATOMS IN WEAKLY COMPENSATED SILICON
NA Poklonski, SA Vyrko, AI Kovalev
Doklady of the National Academy of Sciences of Belarus 62 (4), 406-414, 2018
12018
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20