Подписаться
М.К. Бахадырханов
М.К. Бахадырханов
профессор, Ташкентского государственного технического университета им. И.Каримова
Подтвержден адрес электронной почты в домене markaz.uz
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion
MK Bakhadyrkhanov, GK Mavlonov, SB Isamov, KM Iliev, KS Ayupov, ...
Inorganic materials 47, 479-483, 2011
592011
Some characteristics of diffusion and electrotransport of nickel in silicon
MK Bakhadyrkhanov, S Zainabidinov, A Khamidov
Sov. Phys. Semicond 14, 243, 1980
501980
Formation of clusters of impurity atoms of nickel in silicon and controlling their parameters
BA Abdurakhmanov, MK Bakhadirkhanov, KS Ayupov, HM Iliyev, ...
Nanoscience and Nanotechnology 4 (2), 23-26, 2014
462014
Silicon photovoltaic cells with clusters of nickel atoms
MK Bakhadyrkhanov, SA Valiev, NF Zikrillaev, SV Koveshnikov, EB Saitov, ...
Applied solar energy 52, 278-281, 2016
452016
Compensated silicon
BI Boltaks, MK Bakhadyrkhanov, SM Gorodetskii, GS Kulikov
Izd. Nauka, Leningrad, 1972
391972
Diffusion, Solubility and Electrical Properties of Cobalt in Silicon
MK Bakhadyrkhanov, BI Boltaks, GS Kulikov
SOV PHYS SOLID STATE 12 (1), 144-149, 1970
341970
Negative magnetoresistance in silicon with manganese-atom complexes [Mn]4
MK Bakhadirkhanov, KS Ayupov, GH Mavlyanov, SB Isamov
Semiconductors 44, 1145-1148, 2010
312010
Bakhadyrkha nov, MK, Iliev, Kh. M., Zikrillaev, NF, and Sapa rniyazova, ZM, Low Temperature Diffusion of Impu rities in Silicon
BA Abdurakhmanov, KS Ayupov
Dokl. Akad. Nauk Resp. Uzb, 32, 2010
292010
Some features of chemical interaction between a fast diffusing impurity and a group VI element in silicon
MK Bakhadirkhanov, SI Askarov, N Norkulov
physica status solidi (a) 142 (2), 339-346, 1994
25*1994
Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics
MK Bakhadyrkhanov, AS Mavlyanov, UK Sodikov, MK Khakkulov
Applied Solar Energy 51, 258-261, 2015
232015
Низкотемпературная диффузия примесей в кремнии
БА Абдурахманов, КС Аюпов, МК Бахадырханов, ХМ Илиев, ...
Доклады АН РУз 4, 32-36, 2010
232010
Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n-Junction
MK Bakhadyrkhanov, SB Isamov, ZT Kenzhaev, D Melebaev, ...
Applied Solar Energy 56, 13-17, 2020
222020
Clusters of nickel atoms and controlling their state in silicon lattice
MK Bakhadyrkhanov, KA Ismailov, BK Ismaylov, ZM Saparniyazova
Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics, 392-396, 2018
212018
Фотопроводимость кремния с нанокластерами атомов марганца
МК Бахадырханов, КС Аюпов, ГХ Мавлянов, ХМ Илиев, СБ Исамов
Микроэлектроника 39 (6), 426-429, 2010
212010
Silicon with clusters of impurity atoms as a novel material for photovoltaics
BA Abdurakhmanov, MK Bakhadirkhanov, HM Iliyev, SB Isamov, ...
Nanoscience and Nanotechnology 4 (3), 41-43, 2014
202014
Электрофизические свойства кремния, легированного марганцем методом низкотемпературной диффузии
МК Бахадырханов, ГХ Мавлонов, СБ Исамов, ХМ Илиев, КС Аюпов, ...
Неорганические материалы 47 (5), 545-550, 2011
202011
Отрицательное магнитосопротивление в кремнии с комплексами атомов марганца [Mn] 4
МК Бахадырханов, ГХ Мавлонов, КС Аюпов, СБ Исамов
Физика и техника полупроводников 44 (9), 1181-1184, 2010
202010
DIFFUSION, SOLUBILITY AND ELECTRICAL PROPERTIES OF ZINC IN SILICON
MK Bakhadyrkhanov, BI Boltaks, GS Kulikov, EM Pedyash
SOV PHYS SEMICONDUCTORS 4 (5), 739-743, 1970
201970
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
MK Bakhadyrkhanov, BK Ismaylov, SA Tachilin, KA Ismailov, NF Zikrillaev
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 23 (4), 361-365, 2020
182020
ELECTRICAL PROPERTIES AND DECOMPOSITION OF THE SOLID SOLUTION OF FE IN SI
BI Boltaks, MK Bakhadyrkhanov, GS Kulikov
SOV PHYS SOLID STATE 13 (9), 2240-2242, 1972
181972
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20