Подписаться
Александр Войцеховский
Александр Войцеховский
Подтвержден адрес электронной почты в домене persona.tsu.ru - Главная страница
Название
Процитировано
Процитировано
Год
Инфракрасные детекторы
А Рогальский
Новосибирское отделение издательства" Наука", 2003
2532003
Форма сделок в гражданском праве России
КП Татаркина
Томск: Изд-во ТУСУРа, 2012
1122012
Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
АВ Войцеховский, ВН Давыдов
Государственное унитарное предприятие научно-техническое издательство" Радио …, 1990
661990
Probability density function for modulated MAP event flows with unextendable dead time
L Nezhel’skaya
Information Technologies and Mathematical Modelling-Queueing Theory and …, 2015
472015
Rate and temperature effects on the flow stress and tensile strength of metals
GI Kanel
AIP conference proceedings 1426 (1), 939-944, 2012
452012
Exploring the beneficial role of tribofilms formed from an epoxy-based hybrid nanocomposite
W Österle, AI Dmitriev, T Gradt, I Häusler, B Hammouri, PIM Guzman, ...
Tribology International 88, 126-134, 2015
442015
Widely linear and non-phase-matched optical-to-terahertz conversion on GaSe: Te crystals
WC Chu, SA Ku, HJ Wang, CW Luo, YM Andreev, G Lanskii, T Kobayashi
Optics Letters 37 (5), 945-947, 2012
392012
Температурные волны тепла как отражение изменчивости современных климатических условий жизнедеятельности на территории Томской области
ИВ Кужевская, ДВ Поляков, МА Волкова, НК Барашкова
Экология человека, 3-9, 2015
362015
Осмысленная научная деятельность: диссертанту-о жизни знаний, защищаемых в форме положений
ЭА Соснин, БН Пойзнер
Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика 23 (2), 57-66, 2015
352015
System anthropological psychology: Methodological foundations
EV Galazhinsky, VY Klochko
332012
Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-структур HgCdTe/АОП И HgCdTe/Si [O] 2/[Si] 3 [N] 4
АВ Войцеховский, СН Несмелов, СМ Дзядух
Известия высших учебных заведений. Физика 48 (6), 31-37, 2005
322005
Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники: учебное пособие:[для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200–" Оптотехника", 200700–" Фотоника и …
АВ Войцеховский, ИИ Ижнин, ВП Савчин, НМ Вакив
Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013
302013
О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны: учебное пособие
ИВ Измайлов, БН Пойзнер
Известия высших учебных заведений. Прикладная нелинейная динамика 22 (4 …, 2014
262014
Исследование методами проводимости и фотоЭДС МДПструктур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии
АВ Войцеховский, СН Несмелов, СМ Дзядух
Известия высших учебных заведений. Физика 52 (10), 3-18, 2009
262009
Основы устойчивого лесопользования
АГ Мясников, АМ Данченко, СА Кабанова
24*2015
Заочное производство: сущность и значение
ГЛ Осокина
Вестник Томского государственного университета. Право, 133-141, 2014
242014
Theoretical investigation of the ethylene dimer: interaction energy and dipole moment
YN Kalugina, VN Cherepanov, MA Buldakov, N Zvereva‐Loëte, V Boudon
Journal of Computational Chemistry 33 (3), 319-330, 2012
242012
Профили распределения дефектов в КРТ при внедрении ионов
АВ Войцеховский, АП Коханенко
Известия вузов. Физика 41 (1), 101-116, 1998
241998
Эпистемологические упражнения магистранта: формулирование и оценка научных положений в своей диссертации
ВМ Аникин, БН Пойзнер
232012
Плазмохимическое осаждение пленок диоксида и нитрида кремния для пассивации поверхности КРТ
ВВ Васильев, АВ Войцеховский, ФН Дульцев, ТА Земцова, ИО Парм, ...
Прикладная физика, 63-66, 2007
232007
В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.
Статьи 1–20