Jorge Ricardo de Araujo Kaschny

Процитировано

	Все	Начиная с 2019 г.
Статистика цитирования	1267	293
h-индекс	18	7
i10-индекс	32	5

1992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320244 4 4 8 12 11 32 24 39 34 35 40 42 30 28 25 29 33 31 50 76 72 57 63 58 52 73 63 64 50 61 39 16

Соавторы

Sergio AzevedoDepartamento de Física / Universidade Federal da ParaíbaПодтвержден адрес электронной почты в домене fisica.ufpb.br
Rossen YankovSenior Research Scientist, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, FWIZ-I, Dresden, GermanyПодтвержден адрес электронной почты в домене hzdr.de
Pedro GrandeProfessor de Física, Universidade Federal do Rio Grande do SulПодтвержден адрес электронной почты в домене if.ufrgs.br
Rosangela de PaivaDepartamento de Estatística, Física e Matemática, UFSJПодтвержден адрес электронной почты в домене ufsj.edu.br
Marcelo Pereira MachadoPhysics Professor, Universidade Federal de PelotasПодтвержден адрес электронной почты в домене ufpel.edu.br
Gustavo de M. AzevedoInstituto de Física, Universidade Federal do Rio Grande do SulПодтвержден адрес электронной почты в домене ufrgs.br
Thiago Brito Gonçalves GuerraProfessor de Física, Universidade Federal de Pernambuco-CAAПодтвержден адрес электронной почты в домене ufpe.br
Alexandre RosasUniversidade Federal da ParaíbaПодтвержден адрес электронной почты в домене fisica.ufpb.br
Matheus J. S. MatosUniversidade Federal de Ouro PretoПодтвержден адрес электронной почты в домене ufop.edu.br
Lázaro LeiteDoutorando em Física, UFPBПодтвержден адрес электронной почты в домене fisica.ufpb.br
Jonathan da Rocha MartinsProfessor de Física, Universidade Federal do PiauíПодтвержден адрес электронной почты в домене ufpi.edu.br
Fernando MoraesDepartamento de Física, Universidade Federal Rural de Pernambuco, Recife, PE, BrazilПодтвержден адрес электронной почты в домене ufrpe.br
Johnny Ferraz DiasInstituto de Física, Universidade Federal do Rio Grande do SulПодтвержден адрес электронной почты в домене if.ufrgs.br
Andreas KlingC2TN – Centro de Ciências e Tecnologias Nucleares, Campus Tecnológico e Nuclear, Instituto SuperiorПодтвержден адрес электронной почты в домене itn.pt

Jorge Ricardo de Araujo Kaschny

IFBA - Campus Vitória da Conquista

Подтвержден адрес электронной почты в домене physika.info - Главная страница

Física


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
A theoretical investigation of defects in a boron nitride monolayer S Azevedo, JR Kaschny, CMC de Castilho, F de Brito Mota Nanotechnology 18 (49), 495707, 2007	192	2007
Electronic structure of defects in a boron nitride monolayer S Azevedo, JR Kaschny, CMC de Castilho, F de Brito Mota The European Physical Journal B 67, 507-512, 2009	189	2009
Overpressurized bubbles versus voids formed in helium implanted and annealed silicon PFP Fichtner, JR Kaschny, RA Yankov, A Mücklich, U Kreissig, ... Applied physics letters 70 (6), 732-734, 1997	83	1997
Stability and electronic structure of BxNyCz nanotubes S Azevedo, R De Paiva, JR Kaschny Journal of Physics: Condensed Matter 18 (48), 10871, 2006	58	2006
The effects of the annealing temperature on the formation of helium-filled structures in silicon PFP Fichtner, JR Kaschny, M Behar, RA Yankov, A Mücklich, W Skorupa Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 1999	46	1999
Range and thermal-behavior studies of Au and Bi implanted into photoresist films M Behar, PL Grande, L Amaral, JR Kaschny, FC Zawislak, RB Guimares, ... Physical Review B 41 (10), 6145, 1990	41	1990
Cavities in helium implanted and annealed silicon characterized by spectroscopic ellipsometry W Fukarek, JR Kaschny Journal of applied physics 86 (8), 4160-4165, 1999	37	1999
Facility for simultaneous dual-beam ion implantation JR Kaschny, R Kögler, H Tyrrof, W Bürger, F Eichhorn, A Mücklich, ... Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators …, 2005	30	2005
On the structural properties of B–C–N nanotubes M Matos, S Azevedo, JR Kaschny Solid State Communications 149 (5-6), 222-226, 2009	29	2009
Spatial distribution of defects in ion-implanted and annealed Si: The RP/2 effect R Kögler, RA Yankov, JR Kaschny, M Posselt, AB Danilin, W Skorupa Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 1998	29	1998
Synthesis of nano-sized SiC precipitates in Si by simultaneous dual-beam implantation of C⁺ and Si⁺ ions R Kögler, F Eichhorn, JR Kaschny, A Mücklich, H Reuther, W Skorupa, ... Applied Physics A 76, 827-835, 2003	25	2003
On the redistribution of^6Li ⁺ ions implanted into polypropylene foils D Fink, M Behar, J Kaschny, R Klette, LT Chadderton, V Hnatowicz, ... Applied Physics A 62, 359-367, 1996	20	1996
Corrigendum: Theoretical investigation of native defects in a boron nitride monolayer S Azevedo, JR Kaschny, CMC de Castilho, FB Mota Nanotechnology-Bristol 23 (48), 489501, 2012	19	2012
Metallic thin film thickness determination using electron probe microanalysis CS Campos, EA Coleoni, JC Trincavelli, J Kaschny, R Hubbler, ... X‐Ray Spectrometry: An International Journal 30 (4), 253-259, 2001	19	2001
Structural and electronic properties of linear carbon chains encapsulated by flattened nanotubes A Freitas, S Azevedo, JR Kaschny Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 84, 444-453, 2016	18	2016
Effects of a transverse electric field on the electronic properties of single-and multi-wall BN nanotubes A Freitas, S Azevedo, JR Kaschny Solid state communications 153 (1), 40-45, 2013	18	2013
Prevention of impurity gettering in the RP/2 region of ion-implanted silicon by defect engineering R Kögler, A Peeva, J Kaschny, W Skorupa, H Hutter Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam …, 2002	18	2002
Very large sputtering yields of ion irradiated C60 films FC Zawislak, M Behar, D Fink, PL Grande, JAH Da Jornada, JR Kaschny Physics Letters A 226 (3-4), 217-222, 1997	18	1997
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon PFP Fichtner, M Behar, JR Kaschny, A Peeva, R Koegler, W Skorupa Applied Physics Letters 77 (7), 972-974, 2000	16	2000
First-principles calculations of BC₄N nanostructures: stability and electronic structure A Freitas, S Azevedo, M Machado, JR Kaschny Applied Physics A 108, 185-193, 2012	15	2012

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы