Создать свой профиль
Процитировано
Все | Начиная с 2019 г. | |
---|---|---|
Статистика цитирования | 1387 | 430 |
h-индекс | 17 | 9 |
i10-индекс | 21 | 9 |
Соавторы
- Tomás PalaciosMITПодтвержден адрес электронной почты в домене mit.edu
- Reza GhandiPrincipal Engineer at GE ResearchПодтвержден адрес электронной почты в домене ge.com
- Yuhao ZhangCPES, Virginia TechПодтвержден адрес электронной почты в домене vt.edu
- Einar Örn SveinbjörnssonProfessor in Physics, University of IcelandПодтвержден адрес электронной почты в домене hi.is
- Zhihong LiuXidian University, ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене xidian.edu.cn
- Uedono AkiraUniversity of TsukubaПодтвержден адрес электронной почты в домене u.tsukuba.ac.jp
- Pouya HashemiIBM Manager and Senior Research ScientistПодтвержден адрес электронной почты в домене us.ibm.com
- Winston ChernMassachusetts Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене mit.edu
- James T. TeheraniGaN Device Development and Process Integration Engineer, Texas InstrumentsПодтвержден адрес электронной почты в домене ti.com
- Bin LuEECS, Massachusetts Institute of TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене mit.edu
- Jan LinnrosПодтвержден адрес электронной почты в домене kth.se
- J. W. ChungSamsung ElectronicsПодтвержден адрес электронной почты в домене samsung.com
- Wayne JohnsonSoundside Partners LLCПодтвержден адрес электронной почты в домене soundsidepartners.com
Подписаться
Hyung-Seok Lee
Massachusetts Institute of Technology
Подтвержден адрес электронной почты в домене etri.re.kr